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第 44卷 第 5期 电 子 科 技 大 学 学 报 V0l1．44 NO．5 2015年9月 JournalofUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina Sep．2015 维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件 鄢永明，曾 云，夏 宇，张国梁 (湖南大学物理与微电子科学学院 长沙 410082) 【摘要】为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系，采用0．5a／m的5V／18VCDMOS~艺流片两组 SCRESD器件，使用传输线脉冲测试系统测试器件的性能参数。实验结果表明，随着N阱内P+区和P阱内N+区间~_Ak6gm增 加到22pm，ESD器件的维持电压线性增大，从2．29V升高到9．64V，幅度达421％；单位面积的失效电流线性减小，幅度约为 63％。分析与仿真结果表明，该线性关系具有普遍适用性，可用于调节器件的健壮性和功率耗散能力，满足智能功率集成电 路的高~／ESD防护需求。另一组随着P阱内P+区和N十区间距增大，维持电压和失效电流呈现非线性的变化，但触发电压迅速 降低，可用于实现高压ScRESD器件的低触发电压设计。 关 键 词 静电放电： 失效电流： 维持电压： 可控硅 中图分类号 TN335 文献标志码 A doi：10．3969~．issn．1001．0548．2015．05．01l InvestigationofHighVoltageElectrostaticDischargeDeviceswith AdjustableHoldingVoltagesandFailureCurrents YANYong—ming，ZENGYun，XIA Yu，andZHANGGuo—liang (SchoolofPhysicsandMicroelectronicsScience，HunanUniversity Changsha 410082) Abstract Electrostaticdischarge(ESD)propertiesofhighvoltagesiliconcontrolledrectifier(HV-SCR1ESD devicescanbeaajustedbytheirkeYlayoutparameters．Tw0groupsofHVSCRESDdeviceswithparticularlayout parma eterswerefabricatedin0．5Ⅲn5V／18VCDMOSprocess，andtheircurrent-voltagecurves，holdingvoltages， andfailurecurrentswereinvestigatednadcharacterizedbyartansmission linepulsetestsystem．respectively~ Experimenta1datashowsthatwithincreasinglayoutspacingfrom P+ implantinN welltoN+implantinPwel1． hteholdingvoltagegrowslinearlyrfom 2．29V t09．64V asmuchas421％，butthefailurecurrentperarea decreaseslinearlyabout63％．Usinganalysisandsimulationresults．twoequationsfortheholdingvoltageand failurecurrentweregeneralizedproperly．TheycanbeusedasaguidelinetoadjustESD robustnessand performnaceofHV SCRESD devicesinsmartpowerintergatedcircuits．However,wiht increasinglayoutspacing from P+implanttoN+implantinPwell，thisphenomenoncan’tbeofund，buthtetriggervolatg