太阳电池材料、制备工艺及检测-chapter8.pptVIP

8.4.1 结构 8.4.2 性能分析 2. 工艺 去除切割损伤和织构化后，表面轻扩散和生长氧化物覆盖整个表面，氧化物在电池工艺中起多重作用，是工艺相对简化的关键。注意不需要像丝印方法那样去除扩散氧化物。然后用激光划线机、机械切割锯，或用其他机械或化学方法在电池上表面开槽。 用化学腐蚀清洗槽后，对槽进行第二次扩散。然后，用蒸发、溅射、丝网印刷或等离子沉积在背表面沉积铝。 在烧结铝和腐蚀掉氧化物后，化学镀镍、铜和银层完成电池金属化。 工艺中一个改进的工序利用Si3N4代替氧化物。 8.4.2 性能分析 8.4.2 性能分析 1. 性能比较 在这种情况下报告了近30%的性能优势，虽然之后丝印电池的改进后这种差距有所减小。同时，BPSolar报告了单位面积的工艺成本事实上是一样的，与丝印电池单位面积的工艺成本相差在4%以内。因此，这提供了每峰瓦低得多的成本和较高的单位面积功率输出。虽然基础投资费用较高，但较低的材料成本弥补了这一缺点。几个欧洲制造商和研究机构对此达成了基本一致的结论。 8.4.2 性能分析 2. 改善原因 填充因子较高是由于金属化栅线较好的电导和这些栅线与重掺杂槽区之间较低的接触电阻； 电压较高是由于上表面扩散较高的方块电阻，结合这些面积上整个的氧化提供极好的表面钝化，以及精区中的重掺杂提供的接触钝化。 埋栅电池达到了接近700mV的开路电压，接近于实验室硅电池曾经获得的最高电压。 8.5 HIT电池 HIT电池(有本征薄层的异质结)结合了晶体硅和非晶硅电池技术，生产中的转换效率类似于埋栅电池和曾经报道过的某些最高效率大面积实验室器件，基本的器件结构如图8-12所示。 这种方法产生了效率高达21.0%的创纪录的实验室大面积电池。 8.5 HIT电池 作业 丝网印刷的局限性是什么？如何改进？ 预习 内容：第9章中的9.1-9.2 谢谢您的配合！ 太阳电池：材料、制备工艺及检测 太阳电池：材料、制备工艺及检测 太阳电池：材料、制备工艺及检测 太阳电池：材料、制备工艺及检测 * 主讲：肖全松 6.4.2 硅沉积技术 高温硅沉积法； 低温沉积法； 上节课知识点 一、 高温硅沉积法 概述： 高温(1000℃)的硅沉积法是获得硅的高沉积速率(1-20μm/min)的重要方法。 2. 高温沉积技术包括： 元素硅熔融后在衬底上沉积薄膜或硅层的熔体生长和熔体被覆技术； 含硅气态前体在衬底上热分解的化学气相沉积（CVD）； 从熔体的金属液沉积硅的液相外延（LPE）。 化学气相沉积 1. 定义： 化学气相沉积(CVD)是通过包含所需成分的气相化合物或前体反应在衬底上形成固态膜。例如，通过硅炕(SiH4)或三氯氢硅(SiHCi3)气体的热分解使衬底为硅层被覆。 2. 厚度： 10～50μm厚的硅层。 3. 常用方法和技术 1)常压化学气相沉积(APCVD)； 2)快速热化学气相沉积(RTCVD)； 3)低压化学气相沉积(LPCVD)。 化学气相沉积 5. PECVD过程 1）定义 PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）的概念及其原理：利用强电场或磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 低温化学气相沉积LPE 液相外延【liquid phase epitaxy】 由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方法。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。 本节课内容介绍 内容：第八章中的8.1-8.7节，即引言、高效实验室电池、丝网印刷的局限、埋栅电池、HIT电池、基于氮化物的方法和总结。 重点：硅薄膜太阳电池的生长技术 难点：硅薄膜太阳电池的生长技术 教学目标： 掌握硅薄膜太阳电池的生长技术； 8.1 引言 1. 目前的主流工艺 到2003年，在售的绝大多数太阳电池都是采用单晶或多晶(mc)硅片与简单的丝印金属接触相结合的方法。 其优点是技术成熟，丝网印刷机、烘干和烧结丝印金属圆形的熔炉，都在传统的厚膜技术中成功应用。 2. 丝印的局限性 效率低 8.2 高效实验室电池 8.2.1 硅空间电池的发展 大致可分为三 个区域，即： 五十年代； 九十年代 8.2.1 硅空间电池的发展 1. 为何引入空间电池的概念 1）1958年 太阳电池首次在空间应用，装备美国先锋1号卫星电源。 2）早期电池都是采用单晶硅，价格极其昂贵。? 8.2.1 硅空间电池的发展 2. 重要的技术进展 1）1954