《现代传感技术》黄元庆第3章.ppt

第三章 图像传感技术 图像传感器实际上也是光电传感器件中的一部分，主要器件有CCD、CMOS以及PSD等，PSD已经在光电传感器件中介绍，在这一章中主要讨论CCD和CMOS传感器件及图像测量技术。 图像传感技术 3.1 CCD图像传感器 3.2 CMOS图像传感器 CMOS传感器结构与工作原理 CMOS图像传感器的性能指标 典型CMOS图像传感器 3.3 CCD与CMOS传感器的比较 3.4 图像测量技术 CCD图像传感器 CCD（Charge Coupled Device）全称为电荷耦合器件，是20世纪70年代发展起来的新型固体成像器件。 它是在MOS集成电路技术基础上发展起来的，为半导体技术应用开拓了新的领域。 它具有光电转换、信息存储和传输等功能，具有集成度高、功耗小、结构简单、寿命长、性能稳定等优点，能实现信息的获取、转换和视觉功能的扩展，能给出直观、真实、多层次、内容丰富的可视图像信息，被广泛应用于军事、天文、医疗、广播、电视、传真通信以及工业检测和自动控制系统。 CCD是目前最为成熟，应用最为广泛的图像传感器，它的典型产品有数码相机、摄像机等。 CCD图像传感器 CCD有两种基本类型： 一种是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿着界面转移，这类器件称为表面沟道CCD器件（简称SCCD）； 另一种是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向转移，这类器件称为体沟道或埋沟道器件（简称BCCD）. 一个完整的CCD器件由光敏单元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。 CCD图像传感器 CCD的MOS结构及存储电荷原理 CCD的MOS结构 电荷的传输 电荷读出 CCD图像传感器基本特征参数 CCD摄像器件 线阵CCD摄像器件 面阵CCD摄像器件 CCD的MOS结构及存储电荷原理 CCD由多个光敏像元组成，每个像元就是一个MOS电容器或一个光敏二极管。这种电容器能存储电荷，其结构如图 3?1所示。 CCD的MOS结构及存储电荷原理 1.电荷的传输 CCD的移位寄存器是一列排列紧密的MOS电容器（或光敏二极管），它的表面由不透光的金属层覆盖，以实现光屏蔽。 MOS电容器上的电压愈高，产生的势阱愈深，当外加电压一定，势阱深度随阱中的电荷量增加而线性减小。利用这一特性，通过控制相邻MOS电容器栅极电压高低来调节势阱深浅。 在MOS电容紧密排列，使相邻的MOS电容势阱相互“沟通”，即相邻MOS电容两电极之间的间隙足够小，且当改变相邻MOS两电极的电压值时，在信号电荷自感生电场的库仑力推动下，就可使信号电荷由浅处流向深处，实现信号电荷转移。 CCD的MOS结构及存储电荷原理 1.电荷的传输 为了保证信号电荷按确定路线转移，通常MOS电容阵列栅极上所加脉冲电压为严格满足相位要求的二相、三相或四相系统的时钟脉冲电压。 三相CCD的结构及工作原理 二相CCD的结构及工作原理 CCD的MOS结构及存储电荷原理 2.电荷读出 CCD的信号电荷读出方法一般有两种：输出二极管电流法和浮置栅MOS放大器电压法。 CCD图像传感器基本特征参数 CCD图像传感器特征主要是指其光电转换特性，而性能参数主要包括灵敏度、分辨率、信噪比、光谱响应、动态范围、暗电流和图像滞后等。CCD摄像器件的优劣评判标准，就是采用这些参数衡量。 CCD图像传感器基本特征参数 1.光电转换特性 横轴为曝光量，纵轴为输出信号电压值。它的光电转换特性与硅靶摄像管相似，具有良好的线性。特性曲线的拐点G所对应的曝光量叫饱和曝光量 CCD图像传感器基本特征参数 2.光谱响应 目前广泛应用的CCD器件是以硅为衬底的器件，其光谱响应范围为400~1100nm。红外CCD器件用多元探测器阵列替代可见光CCD图像器件的光敏元部分，光敏元部分用的主要光敏材料有InSb、PbSnTe和HgCdTe等，其光谱范围延伸至3~5mm和8~14mm。 3.动态范围 饱和曝光量和等效噪声曝光量的比值称为CCD的动态范围。CCD器件动态范围一般在103~104数量级。 4.暗电流 暗电流的存在限制了器件动态范围和信号处理能力。暗电流的大小与光积分时间、周围环境密切相关，通常温度每上升30~35℃，暗电流提高约一个数量级。CCD摄像器件在室温下暗电流约为5~10nA/cm2。 CCD图像传感器基本特征参数 5.分辨率 分辨率是图像器件的重要特性，常用调制传递函数MTF ( Modulation Transfer Function)来评价。图 3?7是用2856K白炽光源照明下某线阵CCD的MTF曲线。 MTF定义为：归一化的无量纲的零空间频率下的调制深度的值。 CCD摄像器件 CCD电荷耦合摄像器件简称ICCD，它的功能是把