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n+ n+ P well Silicon 增强型n沟道MOSFET MOSFET Gate Drain Source SiO2 金属 金属 多晶硅 VGG=0.7V VDD=3V Inverted layer channel Gate Drain Source Substrate VGG VDD CMOS n+ n+ P阱 Vss S G D 金属 场氧化层 n型硅衬底 p+ p+ n型硅衬底 VDD D G S P阱 n+ n+ S D p+ Vss VDD S D p+ G G 多晶硅 +VDD -VSS Output Input 反相器 ASIC Application Specific Integrated Circuit 设计输入 前仿真 后仿真 布局布线 流片 Full Custom FPGA IC厂家负责 模拟与数字电路的仿真 模拟：SPICE；PSPICE 数字：VHDL；Verilog HDL Full-Custom; Semi-Custom半定制：厂家提供半成品母片（Gate Array；Standard Cell） FPGA（Field Programmable Gate Array） 仿真语言（硬件描述语言HDL) Spice 晶体管/门级语言；VHDL、Verilog 行为级语言；可描述复杂的数字器件的逻辑行为 具有模－数混合仿真模拟用SPICE算法，数字用HDL Protel 里的Sim模块；Workbench里的Multisim * * 电子电路设计训练（模拟部分） 张杰斌 新主楼F414 zjb@ 电子信息工程学院 电子电路设计训练 课程安排： 数字部分（1-8周）模拟部分（9-16周） 模拟部分：7次课程，4次实验 公共邮箱： buaaeda2015@163.com Key：buaaeda 电子电路设计训练 考核方式： 模拟和数字各占50分 模拟部分： 考试50% 实验40%（完成实验20%+实验报告20%） 四人一组 平时表现 10% 课堂提问 课堂小测试 电子电路设计训练课程安排 第一章 模拟部分EDA概述 第二章 Spice语言 第三章 模拟EDA常用平台 第四章 无线通信 第五章 放大器的设计 第六章 稳压电路? 第七章 Cadence电路设计工具 电子电路设计训练 先修课程： 电路分析 模拟电子技术基础 数字电子技术基础 信号与系统 课程教学目标 通过本课程的学习，培养同学们的电路设计工程意识，掌握SPICE建模、仿真的基本知识，模拟电路系统设计的基本方法。学会使用Mutisim建模、仿真等EDA工具。对计算机和EDA工具进行电路的设计与仿真有一定的了解，掌握一般的EDA设计思想，并会利用EDA平台设计开发出理想的电路。 EDA概述模拟部分 张杰斌 新主楼F414 zjb@ Unit 1 IC和EDA的概念 IC即集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 EDA是电子设计自动化（Electronic Design Automation）的缩写，以计算机为工作平台，融合了应用电子技术、计算机技术、信息处理及智能化技术的最新成果，进行电子产品的自动设计。 IC的发展带动EDA的进步 IC的生产由设计、制造、封装业组成 设计 封装 制造 集成电路发展历程 1950年：结型晶体管诞生； 1951年：场效应晶体管发明；　 1958年：集成电路产生，开创了世界微电子学的历史；　 1962年： MOS场效应晶体管发明； 1963年：首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 集成电路发展历程 1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路并研制出第一块门阵列（50门）；　 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； 1978年：64kb DRAM诞生，不足0.5cm2的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；　 1988年：16M DRAM问世，1cm2大小的硅片上集成有3500万个晶体管 集成电路发展历程 1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺；　 1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μｍ工艺；　 1995年：Pentium Pro（高能奔腾，686级的CPU ）, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺；