氧化锌压敏陶瓷伏安特性的微观解析 microcosmic analysis of u-i characteristic of zno pressure-sensitive ceramics.pdfVIP

第33 卷 第4 期 高 电 压 技 术 VoI. 33 No. 4 2007 年 4 月 High VoItage Engineering Apr. 2007 ·33 · 氧化锌压敏陶瓷伏安特性的微观解析 1 2 3 陈新岗 ，李 凡 ，桑建平 （1. 重庆工学院电子信息与自动化学院，重庆400050 ；2 . 西安交通大学电气工程学院，西安7 10049 ； 3. 国家绝缘子避雷器质量监督检验中心，西安7 10077 ） 摘 要：为从微观层面上解析ZnO 压敏陶瓷MOV 的宏观伏安特性，根据电镜和深能级瞬态谱（DLTS ）的观测结 果，结合试验实测几种规格MOV 小电流和大电流下的试验数据，建立ZnO 在小电流区和大电流区的微观集中参数 等效电路模型，然后依据晶界势垒、电子陷阱等理论，微观解析了各区的导电特性。结果表明：随着外施电压的增 加，电子的穿透能力不断增强，使ZnO 在小电流区晶界层的非线性微观等效电阻不断增大，它与纯ZnO 晶粒层的线 性电阻共同作用使ZnO 小电流区伏安特性呈现出3 个不同的特性宏观区域即预击穿区、击穿区和回升区；随着外 施瞬态冲击大电流幅值的加大，ZnO 在大电流区微观等效电感值增加，使ZnO 大电流区伏安特性宏观呈现缓慢上 升区、快速上升区和迅速上翘区；晶界层厚度的不均匀性和晶界层中电子陷阱密度的差异性宏观表现为等效电阻 的非线性变化，晶界层和纯ZnO 晶粒层在小电流区和大电流区具有不同的微观作用机理使得ZnO 压敏陶瓷在不同 电流区呈现出不同的独特宏观伏安特性。 关键词：ZnO 压敏陶瓷；电镜；深能级瞬态电容谱；晶界势垒；电子陷阱；伏安特性；微观解析 中图分类号：TM862 文献标志码：A 文章编号：1003-6520 （2007 ）04-0033-05 Microcosmic Analysis of !# Characteristic of ZnO Pressure-sensitive Ceramics CHEN Xin-gang1 ，LI Fan2 ，SANG Jian-ping3 （1. SchooI of EIectronic Information and Automation ，Chongging Institute of TechnoIogy ，Chongging 400050 ，China ； 2 . SchooI of EIectricaI Engineering ，Xi ’an Jiaotong University ，Xi ’an 7 10049 ，China ； 3. China NationaI Center for OuaIity Supervision and Test of InsuIators and Surge Arresters ，Xi ’an 7 10077 ，China ） Abstract ：The !# characteristic of ZnO pressure-sensitive ceramics is anaIyzed ，ZnO pressure-sensitive ceramics consists of grain cryst