先进光刻工艺.PDFVIP

上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 第十四章第十四章 第十四章第十四章 先 先 进进 光光 刻刻 工工 艺艺 先先 进进 光光 刻刻 工工 艺艺 可见光的分辨率和对准能力(3σ)在1um以下时会受到某些限制，它会形成±0.3um 的相对误差。为了提高光刻图形转换超越这种限制的能力，发展出以下几种工艺：a) 电 子束光刻，它能提供0.375um的分辨率，相对误差为±0.05um(3σ)的对准能力。b)X射线 光刻，0.25um的分辨率和±0.3um(3σ)对准能力。c)离子束光刻 （约0.2um的分辨率）。 这些先进的光刻工艺将是本章的主要内容。在第13章里，我们描述过利用电子束光刻生 产光刻掩模的过程。而现在将重点讨论利用电子束进行硅片直接曝光，同时也讨论一下 所用的设备。 电子束光刻电子束光刻 电子束光刻电子束光刻 电子束光刻 （EBL）就是利用聚焦后的电子束来形成电路图像的过程。这种束线能 容易而正确地扫描到衬底的某个确定位置而使对射线敏感的材料曝光。早期的电子束光 刻机是由较经济的电子扫描显微镜改装而来的。 早期的工作者很快就意识到EBL比光学光刻更有潜力，包括：a)EBL具有在硅片上 直接产生0.1um 图像特征的能力，在计算机的控制下不需要任何掩模版。b)电子射线可以 准确地探测硅片上的图像特征，这种能力可以用来极其准确地实现层与层之间的对准。 象0.1um 的图像特征就可以用这种技术来实现，这是可能的，因为尽管电子确实具有波 动性，但在EBL系统中其波长为0.2～0.5Å，所以限制分辨率的衍射效应就可以避免了。 然而，仍然有些因素制约着EBL广泛地进入超大规模集成电路的生产中去，包括： a) 电子在光刻胶中的前散射和电子在硅片衬底中的背散射影响了分辨率，使得非“感光” 区“感光” ；b)分辨率也受到了发生在负光刻胶显影过程中的一种称作溶胀现象的影响； c)EBL和光学的“步进”和“重复”系统相比是极其慢的；d)EBL系统的价格往往是光学steper 机的3～5倍，而且需要更多昂贵的辅助设备。 然而电子射线的潜在优势激发起了为克服其局限性而做的重大努力，而这些努力终 于以产量经过改进的机器面市的方式得到回报。表1所列的是先进的EBL直写系统一些方 面的性能。 表1：电子射线系统精度规格 （AEBLEtm150 ） 最小线宽 0.5um 覆盖精度 ≤0.15um(3σ) 1 真空吸笔真空吸笔 ‖理片机‖理片机 ‖倒片机‖倒片机 ‖金属片架‖金属片架 ‖取舟器石英舟‖取舟器石英舟/取舟器/取舟器 ‖外延石英钟罩‖外延石英钟罩 ‖定制工具‖定制工具 ‖净花及防静电用品‖净花及防静电用品 真空吸笔真空吸笔 ‖‖理片机理片机 ‖‖倒片机倒片机 ‖‖金属片架金属片架 ‖‖取舟器石英舟取舟器石英舟//取舟器取舟器 ‖‖外延石英钟罩外延石英钟罩 ‖‖定制工具定制工具 ‖‖净花及防静电用品净花及防静电用品 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 边界粗糙度 ≤0.08um(3σ) 尺寸精度 ≤0.08um(3σ) 场对接误差 ≤0.15um(3σ) Address Structure 0.0156um(1/64um) 电子束系统电子束系统 电子束系统电子束系统 受到广泛重视的电子束系统是利用扫描，聚焦等一系列的过程使光刻胶曝光的。图 1简要地显示了EBL系统的特征。它有5个主要的子系统：1）电子射线源，2 ）电子射线 加速腔，3 ）机械平台，4 ）硅片装片系统，5 ）计算机控制系统。 为了能写出亚微米的图像特征，电子束发出后必须能被聚焦于一个很小的点上，为 了得到较短的曝光时间，电子束流密度必须足够大。电子束由电子射线源产生，在EBL 系统中一般有