自然科学奖-航院庄茁.docxVIP

2015年高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）推荐项目公示奖种：自然科学奖 推荐单位：清华大学项目名称基于位错机制的微纳尺度晶体塑性理论、数值方法和应用主要完成单位：清华大学主要完成人：庄茁 柳占立 黄克智 高原 刘小明姜汉卿文洁项目简介：项目成果属于力学和材料学的交叉领域。上世纪末，在几十至几百微米直径的金属丝扭转和该厚度的薄梁弯曲实验中发现应变梯度引起尺度效应；本世纪初，在几百纳米至几十微米直径的单晶柱压缩实验中，尽管没有应变梯度，却产生了尺度效应。传统晶体塑性理论无法解释这些由位错主导的变形机制，因此，从理论和计算上诠释这些实验现象，阐明科学规律具有重要意义。本项目在建立微纳米尺度塑性理论和计算模型、揭示位错主导的塑性变形机理中取得了创造性成果。主要发现点为：1. 提出了流动应力基于Taylor律的低阶应变梯度塑性理论和基于位错运动连续化描述的非局部塑性理论，诠释了微米尺度材料变形、断裂的尺寸效应，揭示了足以使韧性材料裂纹尖端原子分离的应力和发生解理断裂的机理，从而成功地解释了经典塑性理论预言的应力水平不足以造成裂尖原子分离的被国际力学界称为“佯谬”的现象。美国三院院士WD Nix和JW Hutchinson对该工作给予高度评价：应用唯象理论描述了弹塑性固体裂纹尖端处的应力和应变，证明应变梯度的重要影响必须给予考虑。2.提出了统一的完全基于连续介质力学框架的三维离散位错计算模型，通过耦合离散位错动力学和连续介质有限元，实现了在微纳米尺度高效计算位错滑移和攀移引起的塑性变形。美国ASME J. of Engineering Materials and Technology主编HM Zbib教授在2009年综述报告中用大量篇幅评价该新型计算模型是离散位错研究的重要进展（major improvement），“实现了完全在连续介质力学框架下求解离散位错塑性问题”。3.揭示了几百纳米直径单晶柱由弹性、塑性到恢复弹性的反常规本构行为，成功诠释了国际上广为关注的“机械退火”位错机制；系统阐明了位错源主导的亚微米单晶柱塑性变形机理，发现单臂位错源控制的表面自由或含涂层的微柱力学行为，为“位错匮乏”理论提供了重要依据。WD Nix院士在其文章和学术报告中多次引用本项目成果作为其“位错源控制”塑性理论的基础，认为“在理解微柱塑性机理上起到关键作用（played a key role … for plasticity of micropillars）”。在力学重要期刊发表论文46篇，其中3篇J. Mech. Phys. Solids（IF：4.289），7篇Int. J. Plasticity（IF：5.971），3篇Int. J. Solids Struct.（IF：2.214），1篇Scripta Mater.（IF：3.224），10篇代表性论文他引293次，其中SCI他引266次。国际顶级力学与材料学学者、美国三院院士JW Hutchinson和WD Nix等对本项目成果给予高度评价。与本项目相关的两篇博士论文分别在2004年（姜汉卿，导师黄克智院士）和2011年（柳占立，导师庄茁教授）入选全国优秀博士学位论文。以上成果十多次应邀在国际学术大会上做大会和半大会主旨报告，及特邀报告。该项目建立的微纳米尺度塑性理论和计算模型得到了国内外同行的验证和广泛使用，成功地揭示了位错机制主导的材料断裂和塑性变形新特点，具有重要的科学意义。代表性论文专著目录ZL. Liu, Z. Zhuang, XM Liu, XC. Zhao, ZH. Zhang, A dislocation-dynamics based high-order crystal plasticity model and applications on confined thin-film plasticity, Int. J. of Plasticity, 2011, (27): 201-216 (IF: 5.971)ZL. Liu, XM. Liu, Z. Zhuang, XC. You, A multi-scale computational model of crystal plasticity at submicron-to-nanometer scales, Int. J. of Plasticity, 2009,(25): 1436-1455 (IF: 5.971)Y. Gao, Z. Zhuang, ZL. Liu, XC. You, XC. Zhao, ZH. Zhang, Investigations of pipe-diffusion-based dislocation climb by discrete