第八磁电式传感器.pptVIP

（1）控制电流不变，传感器处于非均匀磁场中: 可测量位置、角度或励磁电流的变化。 （2）控制电流与磁感应强度皆为变量： 乘法器、功率计以及除法、倒数、开方等运算器；也可用于混频、调制、解调等环节中。 （3）磁感应强度恒定不变： 回转器、隔离器和环行器等控制装置。 3、霍尔电流变换器 5、利用霍尔传感器实现无接触式仿型加工 9、非接触式键盘开关 习题 1. 什么是霍尔效应？ 2. 为什么导体和绝缘体材料均不宜做霍尔元件？ 3. 为什么霍尔元件一般采用N 型半导体材料？ 4. 霍尔灵敏度与霍尔元件厚度之间有什么关系？ 5. 什么是霍尔元件的温度特性？如何进行补偿？ 6. 说明霍尔元件不等位电势产生的原因及常用的补偿方法。 8、汽车霍尔电子点火器 霍尔传感器 隔磁罩 磁钢 缺口 霍尔传感器 隔磁罩 磁钢 缺口 当缺口对准霍尔元件时，磁通通过霍尔传感器形成闭合回路，电路导通，霍尔电路输出≤0.4V的低电平；当隔磁罩竖边的凸出部分挡在霍尔元件和磁体之间时，电路截止，霍尔电路输出高电平。 R6 DW1 R7 V1 +12V C R5 D1 R4 R3 R1 R2 磁钢 R8 D2 DW2 H V2 V3 当霍尔传感器输出低电平时，V1截止，V2、V3导通，点火器的初级绕组有恒定的电流通过；当霍尔传感器输出高电平时，V1导通， V2、V3 截止，点火器的初级绕组电流截止，此时储存在点火线圈中的能量由初级绕组以高压放电的形式输出，即放电点火。 第三节 磁敏传感器 一、磁敏电阻器 二、磁敏二极管 三、磁敏三极管 四、磁敏传感器的应用 一、磁敏电阻器 磁阻效应: 当载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化的现象,称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 应用：电流传感器、磁敏接近开关、角速度/角位移传感器、磁场传感器；可用于磁力计、电子罗盘、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、开关电源、变频器、伺服马达驱动器、电度表、断路器、防爆电机保护器、地磁场的测量、探矿、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。 Ｂ：为磁感应强度； ρB：材料在磁感应强度为Ｂ时的电阻率； ρ0 ：材料在磁感应强度为0时的电阻率； μ：载流子的迁移率。 当温度恒定时，在磁场中，磁阻与磁感应强度B的平方成正比。 器件只有电子参与导电磁阻效应方程为： 二、磁敏二极管 1、磁敏二极管的结构 P N I r 区 + - 简写为SMD。磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I，本征区I的一面磨成光滑的无复合表面（为I区），另一面打毛，设置成高复合区（为r区），因为电子-空穴对易于在粗糙表面复合而消失。 2、磁敏二极管的工作原理 H=0 电子 复合区 （1）当磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正偏压，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量的电子注入P区。形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合。 P+ N+ I区 r面 空穴 （2）当磁敏二极管受到外界磁场H+作用时 电子、空穴受到洛仑兹力作用而向r区偏移，由于r区的电子、空穴复合率比光滑面I区快，因此形成的电流因复合速度而减小。 P+ N+ I区 r面 H + （3）当磁敏二极管受到外界磁场H-作用时 电子、空穴受到洛仑兹力作用而向I区偏移，由于电子、空穴复合率明显变小，则电流变大。 P+ N+ I区 r面 H - 结论： 随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。若r区和r区之外的复合能力之差越大，那么磁敏二极管的灵敏度就越高。 磁敏二极管反向偏置时，则在 r区仅流过很微小的电流，显得几乎与磁场无关。因而二极管两端电压不会因受到磁场作用而有任何改变。 3、磁敏二极管的主要特性 （1）.磁电特性：在给定的条件下，磁敏二极 管输出的电压变化与外加磁场的关系。 （a）单只使用 （b）互补使用 B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ΔU/V B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ΔU/V （2）.伏安特性：磁敏二极管正向偏压和通过其上 电流的关系。 不同磁场强度H作用下，磁敏二极管伏安特性不同。例锗磁敏二极管的伏