bsim soi阈值电压模型参数的提取 parameters extraction of threshold voltage model of bsim soi.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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bsim soi阈值电压模型参数的提取 parameters extraction of threshold voltage model of bsim soi

第30卷第1期电子器件 V01．30No。1 chillese DeviceS 2007年2月 JounlaI饼EIeccron Feb．2007 ParametersExtractionofThreshoIdModeIofBSIMSOI Voltage LJ R“i一办鲫，LID“o—Zi，DUH懈九，HAjC砌。一矗P，HAN Z矗e咒g—s矗P729 100029，岛i彻) (丁雄吡”船。厂Mifr0比以ron咖o，吼妇sgAmd硎yo厂Sci聊es，B8巧i札g Abstract：Thresholdisthemost ofMOSFET．Thresholdmodelisthe voltage parameter important v01tage most ofMOSFETmodel． model extractionis importantpart Currently，t11eparameters performedmainly commercialThe is software． ofcommercialsoftwareconfinedbecauseareusual：y through application they andtheirmechanismistoo Anovel method andlocal veryexpensive complex combininggeneticalgorithm is inthis toextractthreshold ofBSIMSOI．Thismethodis optimizationproposedpaper v01tageparameters and touse．Andithas Itisconvenientto touse． simpleeasy verygoodaccuracy． apply extraction；threshold Keywords：SOI；parameters v01tage；geneticalgorithm E＆埘C：0260；2520M；2530F BSIM SoI阈值电压模型参数的提取李瑞贞，李多力，杜寰，海潮和，韩郑生 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘过商业软件来完成，商业软件由于价格昂贵以及内部机理的复杂性限制了它们的应用．本文提出了遗传算法和局部优化相结合来提取Bs圈ⅥsOI阈值电压模型参数的方法，该方法简单易用，且具有较高的精确度，适合推广使用．关键词：s0I；参数提取；阈值电压；遗传算法中图分类号：耵屺86．1 文献标识码：A Silicon—On—Insulator(S