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2017-08-22 发布于上海
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fcob器件在热循环载荷下的界面层裂研究 study on interfacial delamination of fcob under thermal cycle loading.pdf

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fcob器件在热循环载荷下的界面层裂研究 study on interfacial delamination of fcob under thermal cycle loading

第27卷第1期电子元件与材料 Vbl．27No．1 2008年1月 ELECTRONICCoMPoNENTSANDⅣ瞄LTERIALS Jan．2008 FCOB器件在热循环载荷下的界面层裂研究苏喜然，杨道国，赵鹏，郭丹 (桂林电子科技大学机电工程学院，广西桂林541004) 摘要：界面层裂是塑封半导体器件的主要失效模式之一。采用通用有限元软件Msc．MARc，研究了FcOB(基板倒装焊)器件在热循环(_55～+125℃)载荷作用下，底充胶与芯片界面的层裂问题。结果表明：底充胶与芯片界面最易出现分层，分层扩展的位置都在该界面的边缘拐角处；如果分层导致底充胶开裂，牙裂的方向大约是35。。关键词：电子技术；基板倒装焊器件；底充胶：热循环；界面层裂中图分类号：TN406 文献标识码：A 文章编号：l001．2028(2008)01．0062—03 on under interfacialdelaminationofFCoBthermal Study cycleloading SU Dan Xi-ran，YANGDao-guo，ZHAoPeng，GUo ofMech锄icalElec打onic ofE1ec怕nic University (Dept Engineering，Guilin TecllIlolo科Guilin541004，Guangxi zhu锄gzuZiztliqu，China) Abstrac￡：Interfacedelamina垃onisoneoftlle faj】uremoclein IC a￡the maior p】astic packa暑res．I)e】amination interfkeina on was MSC．MARCsoftwareundera underfil№hip nipchipboard(FCOB)assemblyinvestigatedthmugh mennal resultsshowthe ofdelaIIlin撕onand ofdelaIIlination mat 5ites cycle(1巧5一125℃)loading．1kpotential pmpagation attlle interfaceareme comerof isalsofbundfmmsimulationtllatonceunderfill underfilI，chip fhnge tMsinterfhce．Besides，it isinducedthe about memrectionof35o． cracking by del删nation，thecracl(ingis along Keywords：electrontechn0】ogy；FCOBde“ce：undef6ll；ttlennalcycle；interfacialdelamjnation 倒装焊互连技术与传统的线焊和载带焊互连技术在芯片与焊球的界面，而这种分层通常又是由芯片与相比具有互连密度高、寄生电容和电感小、信号传输底充胶之间的提前分