ZnO压敏电阻基本特性和微观结构.doc

ZnO压敏电阻的基本特性与微观结构.txt逆风的方向，更适合飞翔。我不怕万人阻挡，只怕自己投降。你发怒一分钟，便失去60分钟的幸福。忙碌是一种幸福，让我们没时间体会痛苦;奔波是一种快乐，让我们真实地感受生活;疲惫是一种享受，让我们无暇空虚。生活就像呼吸呼是为出一口气，吸是为争一口气。 本文由blue_sailor贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 ＺｎＯ　压敏电阻的基本特性与微观结构 Basic characteristic and microstructure of ZnO varistors 季幼章 中国科学院等离子体物理研究所　　合肥　　　２３００３１ 摘　　　要：　 ZnO 压敏电阻是一种电阻值对外加电压敏感的半导体敏感元件，主要功能是辨别和限制瞬态过电压，反复使用不损坏。ZnO 压敏电阻的基本特性包括电学特性、物理特性和化学特性。微观结构是体现这些性质的媒介，是 ZnO 压敏电阻的基础。 关键词：　 ZnO 压敏电阻；电学性质；物理特性；化学特性；微观结构 １　引言 ＺｎＯ　 压敏电阻是半导体电子陶瓷器件，主要功能是 识别和限制瞬态过电压，反复使用而不损坏。它的电流 （Ｉ）—电压（Ｕ）特性是非线性的，与稳压二极管相似。 但与二极管不同，压敏电阻能限制的过电压在两个极性上 相等，于是呈现的　 Ｉ－Ｕ　 特性很象两个背对背的二极管。 压敏电阻能用于交流和直流电场，电压范围从几伏到几千 伏，电流范围从毫安到几千安。压敏电阻还附加有高能量 吸收能力的特性，范围从几焦耳到几千焦耳。它的通用性 使得压敏电阻在半导体工业和电力工业都有应用。 ＺｎＯ　压敏电阻是用半导体　ＺｎＯ　粉末和其它氧化物粉末 如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ　等经过混合、压型和烧 结工艺而制成。得到的产品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 这一边界特性决定了压敏电阻的非线性　Ｉ－Ｕ　特性。 ＺｎＯ　压敏电阻的基本特性包括电学特性、物理特性和 化学特性。微观结构是体现这些性质的媒介，是　ＺｎＯ　压敏 电阻的基础。 敏电阻的作用接近于绝缘体，此后它的作用相当于导体。 对设计者关注的电学特性，是它在导电过程的非线或非欧 姆特性，以及它作为电阻时，正常工作电压下的低泄漏电 流（功率损耗）。这些特性能够用曲线的三段重要区域来 说明。 图　１　　在宽电流密度和电场范围上的典型　Ｉ－Ｕ　曲线 2.1.1 小电流线性区 ２　ＺｎＯ　压敏电阻的基本特性 2.1 ZnO 压敏电阻的电性质 ＺｎＯ　压敏电阻最重要的性质是它的非线性　Ｉ－Ｕ　特性， 如图　１　所示。在功能上，在达到给定的击穿电压之前，压 在这一范围内（＜１０－４Ａ／ｃｍ ２），Ｉ－Ｕ　 特性是欧姆性 的，定义为预击穿区。对于给定的工作电压，交流电比直 流电流大约高二个数量级。这一差别被认为是交流电压应 用时介电损耗的作用。全电流是由容抗电流（ＩＣ）和电阻 电流（ＩＲ）合成，并且是由　ＺｎＯ　的晶粒边界决定的。 SEMICONDUCTOR COMPONENTS APPLICATION 2008年06月 133 2.1.2 中间的非线性区域 中间电流非线性区，对于电压的一个小增量，压敏电 阻传导一个格外大的电流。该非线性区可以在电流的　６￣７　个 数量级上扩展。正是这一在宽电流强度上的高非线性，使得　 ＺｎＯ　压敏电阻与其它非线性器件有重大的差别，并使其应用 于多种用途。这一区域的　Ｉ－Ｕ　曲线越陡，器件就越好。 发现添加　 Ｂｉ ２ Ｏ ３ 　 基本上形成非欧姆特性。但是添加 像　Ｃｏ２Ｏ３　和　ＭｎＯ２　过渡氧化物也能增强非线性。同样，像　 Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＭｎＯ２　和　ＳｉＯ２　等组合成多元掺杂剂 能比用单一掺杂剂大大增加其非线性。同样，增加掺杂剂 浓度至某一最佳量也显示出增加其非线性行为。 （Ｚｎｉ 、Ｚｎｉ ）和外来原子（ＤＺｎ 和　Ｄｉ＇），ＤＺｎ 和　Ｄｉ＇　 分别代 表所有外来的施主和受主原子（Ｄ　可以是　Ｂｉ、Ｓｂ　等）。 根据对　 ＺｎＯ　 中缺陷平衡的研究，证明了由缺陷向边 界层不相等的迁移能够形成缺陷引起势垒。它表明一个高 的施主杂质（ＤＺｎ≈１０ １８ｃｍ －３），当从烧结温度冷却时， 晶粒边界变得富集锌空位［ＶＺｎ］（受主）而缺少氧空位［Ｖｏ］ （施主）（见图　２）。这种掺杂产生了晶粒边界处锌空位 ［ＶＺｎ］过剩和氧空位［Ｖｏ］的不足，这种情况提高了势垒（势 垒高度φ０．７ｅＶ），同时有效地消除了在晶粒边界处分离 界面层的需要。 ．