碳化硅的性能.docVIP

碳化硅的性能及定义 ???? 天然的碳化硅很少，工业上使用的为人工合成原料，俗称金刚砂，是一种典型的共价键结合的化合物。碳化硅是耐火材料领域中最常用的非氧化物耐火原料之一。 （1）碳化硅的性质 碳化硅主要有两种结晶形态：b-SiC和a-SiC。b-SiC为面心立方闪锌矿型结构，晶格常数a=0.4359nm。a-SiC是SiC的高温型结构，属六方晶系，它存在着许多变体。 碳化硅的折射率非常高，在普通光线下为2.6767~2.6480.各种晶型的碳化硅的密度接近，a-SiC一般为3.217g/cm3，b-SiC为3.215g/cm3.纯碳化硅是无色透明的，工业SiC由于含有游离Fe、Si、C等杂质而成浅绿色或黑色。绿碳化硅和黑碳化硅的硬度在常温和高温下基本相同。SiC热膨胀系数不大，在25~1400℃平均热膨胀系数为4.5×10-6/℃。碳化硅具有很高的热导率，500℃时为64.4W/(m·K)。常温下SiC是一种半导体。碳化硅的基本性质列于下表。 性质 指标 性质 指标 摩尔质量/(g/mol) 颜色 ? 密度/(g/cm3) 40.097 纯SiC为黄色，添加B、N、Al为棕色 a-SiC? 3.217g/cm3 b-SiC? 3.215g/cm3 德拜温度/K a-SiC? 1200 b-SiC? 1430 能隙/eV a-SiC（6H） 2.86 b-SiC?? 2.60 超导转变温度/K 5 摩尔热容/[J/(mol·K)] a-SiC? 27.69 b-SiC? 28.63 弹性模量/GPa 293K为475 1773K为441 生成热（198.15K时）/(kJ/mol) a-SiC? 25.73±0.63 b-SiC? 28.03±2.00 弹性模量/GPa 192 热导率/[W/(m·K)] a-SiC? 40.0 b-SiC? 25.5 体积模量/GPa 96.6 线膨胀系数/(10-6/K) a-SiC? 5.12 b-SiC? 3.80 泊松比n 0.142 300K时的介电常数 a-SiC(6H)9.66~10.03 b-SiC? 9.72 抗弯强度/Mpa 350~600 电阻率/Ω·m a-SiC? 0.0015~103 b-SiC? 10-2~106 耐腐蚀性 在室温下几乎是惰性 具有耐高温、耐磨、抗冲刷、耐腐蚀和质量轻的特点。碳化硅在高温下的氧化是其损害的主要原因。 （2）碳化硅的合成 ①碳化硅的冶炼方法? 合成碳化硅所用的原料主要是以SiO2为主要成分的脉石英或石英砂与以C为主要成分的石油焦，低档次的碳化硅可用地灰分的无烟煤为原料。辅助原料为木屑和食盐。 碳化硅有黑、绿两种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2含量尽可能高，杂质含量尽量低。生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2可稍低些。对石油焦的要求是固定碳含量尽可能高，灰分含量小于1.2%，挥发分小于12.0%，石油焦的粒度通常在2mm或1.5mm以下。木屑用于调整炉料的透气性能，通常的加入量为3%~5%（体积）。食盐仅在冶炼绿碳化硅时使用。 硅质原料与石油焦在2000~2500℃的电阻炉内通过以下反应生成碳化硅： SiO2+3C→SiC+2CO↑-526.09Kj CO通过炉料排出。加入食盐可与Fe、Al等杂质生成氯化物而挥发掉。木屑使物料形成多孔烧结体，便于CO气体排出。 碳化硅形成的特点是不通过液相，其过程如下：约从1700℃开始，硅质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸汽（白烟）；SiO2熔体和蒸汽钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生生成Sic的反应；温度升高至1700~1900℃时，生成b-SiC；温度进一步升高至1900~2000℃时，细小的b-SiC转变为a-SiC，a-SiC晶粒逐渐长大和密实；炉温再升至2500℃左右，SiC开始分解变为硅蒸汽和石墨。 大规模生产碳化硅所用的方法有艾奇逊法和 ESK法。 艾奇逊法? 传统的艾奇逊法电阻炉的外形像一个长方形的槽子，它是有耐火砖砌成的炉床。两组电极穿过炉墙深入炉床之中，专用的石墨粉炉芯体配置在电极之间，提供一条导电通道，通电时下产生很大的热量。炉芯体周围装盛有硅质原料、石油焦和木屑等组成的原料，外部为保温料。 熔炼时，电阻炉通电，炉芯体温度上升，达到2600℃左右，通过炉芯体表面传热给周围的混合料，使之发生反应生成碳化硅，并逸出CO气体。一氧化碳在炉表面燃烧生成二氧化碳，形成一个柔和、起伏的蓝色至黄色火焰毡被，一小部分为燃烧的一氧化碳进入空气。待反应完全并冷却后，即可拆除炉墙，将炉料分层分级拣选，经破碎后获得所需粒度，通过水洗或酸碱洗、磁选等除去杂质，提高纯度，再经干燥、筛选即得成品。 艾奇逊法设备简单、投资少，广泛为石阶上冶炼SiC的工厂所采用。但该法的主