第19章2陶瓷材料的结构与分类.docVIP

§19.4 功能陶瓷 19.4.1 导电陶瓷 绝大部分陶瓷属于绝缘体，仅具有间隙结构的碳化物具有十分良好的导电件，这类间隙相的导电机理与金属相似，属于电子电导。此外，某些陶瓷材料在一定条件下(如温度、压力)具有与强电解质液体相似的离子电导特性，这类陶瓷大多数属于固体电解质，也称为快离子导体或快离子陶瓷。 实际上，每一种快离子导体都有一种起主导作用的迁移离子，因此，具有很好的离子选择性。出于离子传导对周围物质的活度(浓度或分压)、温度、压力的敏感性，可以利用快离子导体制作多种固态离子选择电极，气(液)敏、热敏、湿敏和压敏传感器，以及高纯物质提取装置；利用快离子导体内某些离子的氧化-还原着色效应可制作着色电色显示器；因它具有充、放电特性，可以制作电池、库仑计、电阻器、电化学开关、电积分器、记亿元件等多种离子器件。 影响电导率的因素包括：化学组成、温度、气孔率、晶界等。 一、电子电导 在某些过渡族金属氧化物ReO3，CrO2，VO，TiO和ReO中，电子轨道的重叠产生宽的未填满的d或f能带，这导致1022~1023/cm3的准自由电子浓度和本质上是金属的电导性质。 在理想的共价半导体中，导带中的电子和价带中的空穴可以看成准自由离子，这种情况下，载流子在室温时具有10~104cm/Vs范围的高漂移迁移率。在室温下的Ge，Se，GaP，GaAs，CdS，CdTe等金属化合物和共价半导体属于这种情况。 某些含有多价过渡金属离子的氧化物玻璃表现出电子电导性质，最著名的是磷酸钒和磷酸铁玻璃。然而，在磷酸盐、硼酸盐或硅酸盐基质中加入钒(V)、铁(Fe)、钴(Go)或锰(Mn)都可以制备出电子电导玻璃。已有许多资料证明非晶态的锗(Ge)、硅(Si)和碳化硅中的电子电导性。 二、离子电导 几种类型的化合物显示出特别高的离子电导率，通常称为快离子导体。这些化合物主要分为三类：银和铜的卤化物；具有(-氧化铝结构的氧化物；氟化钙结构类型的氧化物(例如CaO-ZrO2或Y2O3-ZrO2)。 在含有相当大浓度的碱金属氧化物尤其是钠破璃中，电流几乎全由碱金属离子传导。在所有温度范围内。这些离子的迁移率远大于网络形成体离子的迁移率，其电导特性由碱金属离子的浓度和迁移率决定。玻璃和晶体之间的一个主要区别是在玻璃中的钠离子位置之间的势垒不存在单一的数值。 19.4.2 敏感陶瓷 通过恰当的材料和工艺设计可以制备出具有半导体特性的功能陶瓷，称为半导体陶瓷，简称半导瓷。这类材料具有优良的半导体性质，且价格低廉，已成为功能材料中重要的、富有生命力的分支。半导体材料的电阻率显著受外界环境变化的影响，例如受温度、光照、电场、气氛、湿度等变化的影响，根据这种变化可以很方便地将外界的物理量转化为可供测量的电讯号，从而制成敏感器件或传感器。因敏感陶瓷多属于半导体陶瓷或者说半导体陶瓷多半用于制造敏感元件，所以常常将半导体陶瓷称为敏感陶瓷。 一、陶瓷半导体种类 重要的晶态半导体大多以共价键结合，具有金刚石结构或闪锌矿结构。 (1)IV族元素半导体：包括锗、硅及灰锡((-Sn)。这类半导体都是面心立方的共价晶体，具有金刚石结构。(2)III—V族化合物：最重要的有GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)，此外，还有InSb(锑化铟)、GaSb(锑化镓)等。这类材料具有闪锌矿结构。闪锌矿结构与金刚石结构类似，不同的是金刚石结构是由同种原于构成的，闪锌矿结构则由两种原子构成；在一种原子的周围是另一种原子，这四个原子位于四面体的四个顶角上。(3)II—VI族化合物：例如CuS(硫化铜)和ZnS(硫化锌)。这类半导体具有闪锌矿结构，是以共价性为主兼有离子性的结合，键中电荷的有效转移量比III—V族化合物大。 二、陶瓷的半导体性能 半导体这类固体的原子在绝对零度时，其价带是满的，而导带是空的。此外，它的导带和价带之间所形成的禁带很窄(一般约为0.6 eV)。即它的价电子与其原子结合得不是太紧，很少的热、电、磁或其它形式的能量就能将其激发到导带中去。绝缘体的能带情况与半导体几乎一样，只是禁带要宽得多(如金刚石的禁带宽度为6 eV)。 一个电子从价带激发到导带所造成的结果，是在价带中留下一个空穴。空穴的能量等于电子激发前该电子所具有的能量，其位置或空间延伸也和原来的电子一样。半导体的性能是由导带中的电子数和价带中的空穴数决定的。电子和空穴可以借助于电、磁、热或其它形式的能量激发产生出来，称为本征激发，其材料称为本征半导体；也可以借助于把杂质元素引入晶格产生出来，称为非本征激发，其材料称为非本征半导体。本征激发发生在所有类型的半导体中，但在非本征激发中，它被杂质效应掩盖了。电子工业中使用的大多数半导体材料是杂质(非本征)半导体。 半导体是固体材料中非常独特而有用的—类，这类材料可以是晶态的，也可以是