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生长温度对分子束外延Aln薄膜的影响-重庆理工大学学报
第26卷 第5期 重 庆 理 工 大 学 学报(自然科学) 2012年5月
Vol.26 No.5 JournalofChongqingUniversityofTechnology(NaturalScience) May2012
生长温度对分子束外延AlN薄膜的影响
李 瑶,郑显通,刘 帆,蒋一翔,邹祥云,苑进社
(重庆师范大学 物理与电子工程学院,重庆 400047)
摘 要:研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延AlN薄膜时对薄膜样
品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现:随着生长温度的提高,RHEED条纹更加纤细、更加
细锐;在低温下,AlN表面有密集的小岛状晶粒结构,但随着温度的升高,小岛之间开始聚合,并
形成大范围的原子力台阶,表明AlN薄膜在高温下有良好的二维生长模式;(002)和(102)面
XRD半高宽结果进一步表明AlN薄膜的二维生长模式,且在高温下,AlN薄膜中的刃型位错密
度大大减小。说明提高生长温度有助于提高AlN薄膜的晶体质量,获得平坦的表面。
关 键 词:分子束外延;AlN;RHEED;AFM;XRD
中图分类号:TM23 文献标识码:A 文章编号:1674-8425(2012)05-0066-04
TheImpactofTemperatureonMolecularBeamEpitaxy
GrowthofAlN
LIYao,ZHENGXiantong,LIUFan,JIANGYiXiang,
ZOUXiangyun,YUANJinshe
(CollegeofPhysicsandElectronicEngineering,ChongqingNormalUniversity,Chongqing400047,China)
Abstract:Inthispaper,westudiedhowdidthegrowthtemperatureaffectthecrystalqualityandsur
facemorphologyofAlNfilmsgrownbymolecularbeamepitaxy.RHEEDstreaksbecomemoreand
moreslenderwiththeincreaseofgrowthtemperature.BymeansofAFMimages,wefoundthatinlow
temperature,therearelotsofislandlikegrainstructuresontheAlNfilmssurface.Andtheislandbe
gantoaggregatetogetherandformawiderangeofatomicstepswithimprovingthegrowthtempera
ture.Allofthisindicatethatthereisagoodtwodimensionalgrowthmode.TheresultsofXRDfurther
illustratethegoodtwodimensionalgrowthmode.ThedensityofedgedislocationintheAlNfilmshas
greatlyreducedinthehighgrowthtemperature.Alloftheabovementionedshowedthatincreasingthe
growthtemperaturehelpstoimprovethecrystalqualityandobtainaflatsurface.
Keywords:MBE;AlN;RHEED;AFM;XRD
收稿日期:2012-02-14
作者简介:李瑶(1987—),男,湖北襄阳人,硕士研究生,主要从事宽禁带半导体材料研究;通讯作者 苑进社
(1958—),教授,主要从事微晶CaN半导体薄
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