电工学电子技术《半导体器件》第二部分.pptVIP

14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 晶体管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 晶体管电流测量数据 晶体管电流测量数据 此外，从晶体管内部载流子的运动规律，也就理解了要使晶体管起电流放大作用，为什么发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置(这是放大的外部条件)。 图示为起放大作用是NPN型管和PNP型管中电流的实际方向和发射结与集电结的实际极性。 发射结上加的是正向电压，要使晶体管起放大作用时，集电结上加的就是反向电压，即|UCE||UBE| 此外还可看到，对NPN型管而言，UCE和UBE都是正值；而对PNP型管而言，它们都是负值。 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 截止区 (3) 饱和区 (3) 饱和区 (3) 饱和区 例14.5.1 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 14.5.4 主要参数 以上所讨论的几个参数，其中β和ICBO(ICEO)是表明晶体管优劣的主要指标; ICM，U(BR)CEO和PCM都是极限参数，用来说明晶体管的使用限制。 例14.5.3 全部书后习题 例: 在下图电路中, UCC = 6V，RC = 3k?，RB = 10k?, ? = 25，当输入电压 UI分别为 3V、1V和 ?1V时，试问晶体管处于何种工作状态？ 解: 晶体管饱和时的集电极电流近似为 晶体管刚饱和时的基极电流为 (2) 当UI= 3V时 晶体管已处于深度饱和状态。 解: (3) 当UI= 1V时， 晶体管处于放大状态。 (4) 当UI= ?1V时，晶体管可靠截止。 例: 在下图电路中, UCC = 6V，RC = 3k?，RB = 10k?, ? = 25，当输入电压 UI分别为 3V、1V和 ?1V时，试问晶体管处于何种工作状态？ + UBE ? IC IE IB C T E B + UCE ? (a) NPN 型晶体管 + UBE ? IB IE IC C T E B + UCE ? 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 (b) PNP 型晶体管 UCUBUE UEUBUC 二、放大电路中三极管类型的判断方法 材料判断： 若为硅管，|UBE|=0.7V左右； 若为锗管， |UBE|=0.2V左右。 练习1：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 放大区中: NPN管:UC≥UBUE PNP管:UC≤UBUE 硅管导通时:|UBE|约为0.5～0. 8V 锗管导通时:|UBE|约为0.1～0.3V E B C PNP 硅 C B E NPN 硅 E B C NPN 硅 B E C PNP 锗 C E B PNP 锗 B E C NPN 锗 在静态(无输入信号)时,集电极电流IC与基极电流IB的比值称为共发射极静态电流(直流)放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数。晶体管的参数是设计电路、选用晶体管的依据。 在动态(有输入信号)时,基极电流的变化量为ΔIB,它引起集电极电流的变化量ΔIC。ΔIC与ΔIB的比值称为动态电流(交流)放大系数 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICEO 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有 在特性曲线的近于水平部分，IC随IB成正比变化, ? 值才可认为是基本恒定的。 例：在UCE= 6 V时，在 Q1 点IB = 40?A, IC =1.5mA； 在 Q2 点IB = 60 ?A, IC = 2.3mA，试求 和?。 在以后的计算中，一般作近似处理 ? = 。 解：在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 2. 集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是当发射极开路时由于集电结处于反向偏置，集电区和基区中的少数载流子向对方漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO 测量ICBO的电路 3. 集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ICEO是当IB=0(将基极开路)、集电结处于反向偏置和发射结处于正向偏置时的集电极电流。 又因为它好象是从