第9讲 半导体照明及半导体照明材料.pptVIP

* * 中国专家的呼吁 我国有近百名专家（两院院士）联名向国务院呼吁，以三峡工程的5%费用，支持我国的半导体照明产业，用5-10年的时间的努力，1/3照明应用半导体照明，每年可以节约的电量1000亿度，多于一个三峡水电站的发电量（800亿度） 国家启动国家半导体照明工程 * * 六、半导体照明发展现状 * * 发展速度超过人们的预测 技术进步迅速 市场的发展速度领先于技术的发展 政府与民间共有热情 * * 中国在此领域的发展 有多家公司参与 在半导体领域中与国际水平最接近，基本上与国际水平同步发展，有部分领先 方大集团在国内处于领先地位，特别是大功芯片 * * 部分领域已经应用 潜水灯 防爆灯 高档汽车的照明灯（奔驰、宝马、奥迪A8等汽车） 飞机和高档汽车的阅读灯 * * * * 已经走近我们的生活 * * 已经走近我们的生活（手电筒） * * 白光LED射灯 * * 可与目前普通灯具互换的LED白光灯 * * 存在的问题 价格过高 发光效率还不够高 性价比低 还不到民众普及的时刻 半导体照明的寿命实际上还涉及多方面的问题，与10万小时的理论寿命有差距 * * 七、未来的前景 * * 未来的指标 发光效率达到 200 ml/w 显色指数接近 100% 新的半导体材料和技术会进一步发展 价格下降，为百姓所接受 * * 进入主流光源是必然趋势 没有人怀疑 国内外的传统照明企业都非常积极 真正进入绿色照明 产业链条已经形成，互动作用明显 * * 抓住新机遇 一场革命带来新的危机 一场革命带来新的机遇 新的行业的诞生 衍生产品创造新的精彩世界 抓住机遇，迎接挑战 Thank you ! * (4)LED是2π发光具有方向性，可以更好的控制光线方向，提高系统的照明效率。 (5)光源器件较小，使得布光更为灵活，而且能够更好的实现夜景照明中“只见其光，不见光源”的效果。 * * * (6)不需要玻璃外壳,抗冲击性好，抗震好，不易破碎，便于装卸运输。 (7)能较好的控制发光光谱组成，无红外光，无紫外线，从而能够很好的用于博物馆，展览馆的局部和重点照明，而不损伤展览珍品。 (8)光源中无汞，有利环境保护。 (9)使用抵押直流驱动，具有负载小，干涉少，安全可靠的优点， (10)亮度可调，颜色可变，可制成智能灯具。 * 照明成本 照明成本包括四个成分： 一、电光源的初始成本。 二、光源所消耗能源的成本。 三、灯光源无法工作时更换光源所需劳动成本。 四、电光更换的频率，由它决定维护成本和电光源的总成本。 LED计划从2005年得29.4降至2010的6.36、2020年得3.28元。 * * LED的发展历史 1965年世界上的第一只商用化LED诞生，用锗制成，单价45美元，为红光LED，发光效率0.1 lm/w。 1968年利用半导体掺杂工艺使GaAsP材料的LED的发光效率达到1 lm/w, 并且能够发出红光、橙光和黄光。 1971年出现GaP材料的绿光LED，发光效率也达到1 lm/w。 * * LED的发展历史 80年代，重大技术突破，开发出AlGaAs材料的LED，发光效率达到 10 lm/w。 1990年到2001年，AlInGaP的高亮度LED成熟，发光效率达到 40—50 lm/w。 1990年基于SiC材料的蓝光LED出现，发光效率为0.04 lm/w。 90年代中期出现以蓝宝石为衬底的GaN蓝光LED，到目前仍然为该技术。 * * 四、半导体发光材料体系 * * 半导体材料的分代 以硅Si为代表的半导体材料为第一代半导体材料。 以砷化镓GaAs为代表的化合物半导体材料为第二代半导体材料。 以氮化镓GaN为代表的宽带隙化合物半导体材料为第三代半导体材料 。 * * 半导体发光材料是发光器件的基础，如果没有砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等材料的研究进展，发光器件也绝不可能会取得今天这样大的发展，今后器件性能的提高也很大程度取决于材料的进展。 成为半导体发光材料的条件： 1、半导体带隙宽度与可见和紫外光子能量相匹配。 2、只有直接带隙半导体才有较高的辐射复合概率。 3、还要求有好的晶体完整性、可以用合金方法调节带隙、有可用的p型和n型材料，以及可以制备能带形状预先设计的异质结构和量子阱结构。 * * GaN半导体材料特点 宽带隙化合物半导体材料，有很高的禁带宽度（2.3—6.2eV)，可以覆盖红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围 ，是到目前为止其它任何半导体材料都无法达到的。 高频特性，可以达到300GHz（硅为10GHz，砷化镓为80GHz）。 * * 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境） 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非