第四章 半导体中载流子的输运现象.pptVIP

1、如果样品半无穷大，非平衡载流子尚未到达样品另一端就全 部复合消失，即x→∞ 时Δp(x)→0，因而通解中B=0；在x=0处， Δp(x)=(Δp)0 ，则A=(Δp)0，因此 这表明非平衡载流子从表面的(Δp)0开始，在体内按照指数规律衰 减。当x=Lp时，则有Δp(Lp)=(Δp)0 /e，即非平衡载流子因为存在 复合由(Δp)0衰减到(Δp)0 /e所扩散距离就是Lp。而非平衡载流子 的平均扩散距离为 因此Lp反映了非平衡载流子因扩散而深入样品的平均距离，称Lp为 空穴扩散长度。 2、如果样品为有限厚度w，同时设法在样品另一端将非平衡少子全部 抽取干净，那么 由此确定系数A和B，得到这种情形的特解为 由于α很小时sh(α)≈α，所以当样品厚度w远小于扩散长度Lp 时，上式近似为 此时的扩散流密度 为常数，表明由于样 品很薄，非平衡载流子还来不及复合就扩散到了样品的另一端。 二、爱因斯坦关系 半导体中载流子的扩散运动必然伴随扩散电流的出现。 空穴扩散电流密度 电子扩散电流密度 如果载流子扩散系数是各向同性的，对于三维情况，则 而扩散流密度的散度的负值恰好为单位体积内空穴的积累率 稳态时，-▽·Sp等于单位时间单位体积内因复合而消失的空穴数， 稳态扩散方程为 空穴的扩散电流密度 电子的扩散电流密度 对均匀掺杂的一维半导体，如果存在外加电场|E|的同时还存 在非平衡载流子浓度的不均匀，那么平衡和非平衡载流子都要作 漂移运动，非平衡载流子还要作扩散运动，因此 非均匀掺杂的一维半导体在同时存在外加电场|E|和非平衡载 流子浓度的不均匀时，由于平衡载流子浓度也是位置的函数，平 衡载流子也要扩散，因此 引起载流子漂移运动和扩散运动的原因虽然不同，但这两种 运动的过程中都要遭到散射的作用，μ和D之间也存在内在联系。 载流子的μ和D之间有如下的爱因斯坦关系 因此由已知的μn、μp就可以得到Dn和Dp。 非均匀掺杂半导体同时存在扩散运动和漂移运动时，利用爱 因斯坦关系，可将电子和空穴的电流密度改写为 半导体中的总电流密度为 4.5 连续性方程 以一维n型半导体为例，更普遍的情况是载流子浓度既与位置 x有关，又与时间t有关，那么少子空穴的扩散流密度Sp和扩散电流 密度(Jp)Dif分别为 单位时间单位体积中因扩散积累的空穴数为 单位时间单位体积中因漂移积累的空穴数为 小注入条件下，单位体积中复合消失的空穴数是Δp/τp，用gp 表示生产率，则可列出 上式称为空穴的连续性方程。它反映了漂移和扩散运动同时存在 时少子空穴遵守的运动方程，类似可得电子的连续性方程 三维情况下电子和空穴的连续性方程分别是 （3） 其它因素引起的散射 通常情况下，Si，Ge元素半导体的主要散射机构是电离杂质散射和长声学波散射；而GaAs的主要散射机构是电离杂质散射、长声学波散射和光学波散射。 1、载流子的热运动在半导体内会构成电流。（ ） 2、在半导体中，载流子的三种输运方式为（ ）、 （ ）和（ ）。 3、载流子在外电场的作用下是（ ）和（ ）两种运动的叠加，因此电流密度大小（ ）。 4、什么是散射 练习 5、在外加电场E作用下，为什么半导体内载流子的漂移电流恒定，试从载流子的运动角度说明。 三、散射几率P与平均自由时间τ间的关系 由于存在散射作用，外电场E作用下定向漂移的载流子只在连 续两次散射之间才被加速，这期间所经历的时间称为自由时间， 其长短不一，它的平均值τ称为平均自由时间， τ和散射几率P 都与载流子的散射有关， τ和P之间存在着互为倒数的关系。 如果N(t)是在t时刻还未被散射的电子数，则N(t+Δt)就是t+Δt 时刻还没有被散射的电子数，因此Δt很小时，t→t+Δt时间内被散 射的电子数为 t=0时所有N0个电子都未遭散射，由上式得到 t时刻尚未遭散射的 电子数 在dt时间内遭到散射的电子数等于N(t)Pdt=N0e-PtPdt，若电子的自 由时间为t，则 结论：即τ和P互为倒数。 四、迁移率、电导率与平均自由时间的关系 如果电子mn*各向同性，电场|E|沿x方向，在t=0时刻某电子遭 散射，散射后该电子在x方向速度分量为vx0，此后又被加速，