65nm sram传统静态指标的测试方案及研究 the study and test method of sram conventional static characteristics in 65 nm process technology.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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65nm sram传统静态指标的测试方案及研究 the study and test method of sram conventional static characteristics in 65 nm process technology.pdf

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65nm sram传统静态指标的测试方案及研究 the study and test method of sram conventional static characteristics in 65 nm process technology

第3蜷第6期固体电子学研究与进展 V。1．31，No．6 2011年12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Dec．，2011 nm 65 SRAM传统静态指标的测试方案及研究陈凤娇简文翔董庆袁瑞林殷茵+ (复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海，201203) 201l—05—24收稿，2011一08—11收改稿摘要：65nm及其以下工艺，工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏，对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统 nm 静态指标)，该测试结构能够测量65 SRAM在保持、读、写三种操作下的指标：H01dSNM，RSNM，N—curve， WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题，该测试结构采用四端结构引出SRAM 的内部存储结点，通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试，解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC 65nm CMOS标准工艺上流片验证，并测得相应数据。关键词：工艺波动；传统静态指标；静态随机存取存储器；测试结构；四端结构中图分类号：TN492；TN707文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2011)06一0613一06 The andTestMethodofSRAM Study ConventionalStatic Characteristicsin nm 65 ProcessTechnol ogy CHEN JIAN DONG YUANRuiLIN Fengjiao WenxiangQing Yinyin Abstract：ProcessVariationshaVeinduced influenceonthe SRAM in growing performances the of65 and nm below．SRAMreadandwritenoise canreflectthe technoIogy margins SRAM arecrucialfor ofSRAM newteststructureisem— performances，whichestimatingyield arrays．A toobtainthe nmSRAMreadandwritenoise ployed 65 Thestructurecanmeasurethe margins． SRAM conVentionalstaticcharacteristicsin andwrite These standby，rea