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2017-08-20 发布于上海
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igbt多级场板终端结构的仿真和验证 simulation and verification of the multistep field plates termination.pdf

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igbt多级场板终端结构的仿真和验证 simulation and verification of the multistep field plates termination

第33卷第1期固体电子学研究与进展 V01．33。No．1 2013年2月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Feb．，2013 IGBT多级场板终端结构的仿真和验证’ 高明超” 刘钺杨刘江赵哿金锐于坤山 (国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所，北京，100192) 2012—08—31收稿，2012—09—26收改稿摘要：基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构：在有源区最外围元胞和场板之间加一个P—Ring环，可以降低第一级场板边缘下的电场强度；改变第四级场板氧化层厚度，可以调整IGBT击穿电压值；在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层SiO；N，薄膜作为腐蚀阻挡层，可降低对工艺精度的要求，同时提高器件可靠性；多级场板终端结构可以阻止器件表面电荷进入硅表面改变硅表面电势，提高器件的稳定性和可靠性。将此终端用在1200VNPTPlaner 300 IGBT结构上进行流片验证，击穿电压可达1V以上。关键词：绝缘栅双极昌体管；终端；多级场板；击穿场强中图分类号：TN322．8文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2013)01—0076—04 SimulationandVerificationofthe Field Muitistep PlatesTermination GAO LIU LIU ZHAOGe Rui Mingchao YUKunshan YueyangJiang JIN (Electrical NewMaterialandMicroelectronics GridSmartGrid Engineering Department，State Research Institute，Beijing，100192，CHN) field Abstract：The terminationbasedonthe muhistepplates existingtechnologyplatform was a betweenthe field andthecells designedbyaddingP—Ring multistep outermostofthe plates activeareawhichcanreducethe electricfield underthe ofthefirst break— strength edge step．The down canbe thethicknessofthe onthe voltage changedby fourth