inalnalngan hemt器件特性研究 investigation on dc and rf performance of inalnalngan hemts.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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inalnalngan hemt器件特性研究 investigation on dc and rf performance of inalnalngan hemts.pdf

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inalnalngan hemt器件特性研究 investigation on dc and rf performance of inalnalngan hemts

第31卷第2期固体电子学研究与进展 V01．31。No．2 2011年4月 OFSSE Apr．，2011 RESEARCHPROGRESS InAlN／AlN／GaNHEMT器件特性研究刘海琪+ 周建军董逊陈堂胜 (南京电子器件研究所，南京，2l0016) 2011—0l-26收稿．20ll一02—24收改稿度．其值为1．65×1013cm～。通过该结构制备了o．15肛m栅长InAlN／AlN／GaNHEMT器件，获得了相关的电学特比于相应的AlGaN／AlN／GaNHEMT器件，InAlN／AlN／GaNHEMT器件由于具有高的二维电子气面密度和薄的势垒层厚度，其最大电流密度和峰值跨导特性有了很大的改善，同时频率特性也有显著提高。关键词：钢铝氮／氮化锿；高电子迁移率晶体管；二维电子气；薄势垒层厚度中图分类号：TN325+．3；TN386文献标识码：A 文章编号：looo一3819(2011)02一0120-04 onDCandRFPerformance InVestigation of HEMTs InAlN／AlN／GaN LIU ZHOU DONGXunCHEN Haiqi Jianjun Tangsheng (批硝ngEktr0摊ic眈pi鲫，雄盯if扯抛，肌彬ng，210016，C日j、，) Abstract：InAlN／AlN／GaNheterostructureMOCVDon substratewas grownby sapphire fab“catedwitha 2一dimensionalelectron of1．65×1013cm一2．Thede— high gas(2DEG)density viceswitha of0．15 werefab“catedonthe gatelength pm InAlN／AlN／GaN drain extrinsictransconductance maximumcurrent of1．3A／mm，a of260mS／mm density peak wereobtained DCmeasurement．Fortheirmicrowave currentcut— characteristics，a through gain off 65GHzandamaximumoscillation 85GHzweremea— frequency(^)of frequency(五眦)of sured． toconventional DCandRF of Compared AlGaN／AlN／GaNHEMTs，the performance