h型栅soi mos作为静电保护器件的维持电压的研究 investigation on holding voltage of h-gate soi mos as esd protection device.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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h型栅soi mos作为静电保护器件的维持电压的研究 investigation on holding voltage of h-gate soi mos as esd protection device.pdf

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h型栅soi mos作为静电保护器件的维持电压的研究 investigation on holding voltage of h-gate soi mos as esd protection device

第33卷第2期固体电子学研究与进展 V01．33。No．2 2013年4月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Apr．，2013 on of InvestigationHoldingVoltageH·‘gate SOI asESDProtection MoS Device。 Yibo ZENGChuanbinLUO HAN JIANG Jiajun Zhengsheng” (SiliconDeviceand InstituteMicroelectronics Technology of of Integration Department，ne Chinese of AcademySciences，BeOing，100029，CHN) isavitaland issuefor on Abstract：Electrostatic SOI(Silicon dischargereliability challenging focusedon onwhichlatchrisk di— paper up depends insulator)technology．Theholdingvoltage for indicated device SOIMOS．Anew was that rectlyH—gate phenomenon among pa— investigated rametersthe widthaffected also．Thenthedevice meeha— strongly operating gate holdingvoltage nismwasdiscussedTCAD witha modelandHSPICE compact through simulations．Combining bulk simulationsthe betweenresistorand wasrevealed relationship holdingvoltage finally． on words：SOI(siliconinsulator)；ESD(electr