inpgaas异质外延及异变ingaas光探测器制备 inpgaas heteroepitaxy and fabrication of metamorphic ingaas photodetectors.pdfVIP

辩电孑-冁畿 V01．18 Oct．2007 第18卷第10期Z007年10月JournalofOptoelectronics·Laser No，10 ·光电予器件和系镜· InP／GaAs异蕊外延及异变haGaAs光探测器刹备8 王琦“2一，任晓敏1，熊德平1，周静1，吕吉贺1，黄辉1，赞永清1，蔡世伟 (1．竞通信粤崽渡技零教鸯部重点实验塞，甓裘100876,2。藏豪瘁电走擘漤缝教毒学簸，l￡袁100876) 摘要：借助超薄低温InP缓冲层，在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层，在InP外延层中描人了15周 期Im93C-a0,07P／InP应变崴超晶格(S1．S)，进一步阻断了巍配位错穿透到晶体表面．掇辩了外延层的鼯体质量， 这撵2．5脚嚣l疆多}延鬃瓣双鑫X射线袋菇(Ⅸ盏R秘搿扫箍半亮垒糍f尹w黝馕簿氍至219$f雠，渡掰’ 外延层的室泓光荧光(m潜线宽度仅为42meV。在此蕻础上，其利崩超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘 6aAs衬底上成功地制备出了长波长异坐h1053G札47AsPIN光电探测器，器件的台耐面积为50,amX50舯， T№53G虮t7As吸收层厚度为300nm，在3V反偏压下器件的3dB带宽达到了sG}k．在1550nm波长处器件 翦嚷应度达馥了0。12村W，对应翦捧量子靛率隽9．6强。 差键词：异质外延；低蕊黼缓冲层I应交屡超晶格(SLs)}光探铡嚣 中图分类号：TN366文献标识码：A文章编号：1005-0086(2007)lmll43-03 InP／C．aAs andFabricationof lnGaAsPhotodetectors Heteroepi攮】,,y Metamorphic WANG Hui3， a1。一，RETqXiao-minl，XIONGDe-pin91，ZHOUJir珂，LvJi-hel，HUANG HUANG Shiweil Yong-qinga，CAI of ofPostsand ContinuingEducation，BeijingUniversity Telecormnunications，13eiiing1000876，C]aina) inP were an(hAs鲫b髓勰testheultcathhalow InPbuffer Al碰raa：High-qualityepihyersgrown b，usⅡ19 tetrtperamrelay- lap er．A into妇normal 15-pericak％G瓤#P／黼strainedlayersuperlatdce(SLS)Ⅻinsertedlayers。whichmoeked tbevertical 8islom6ionandfurther洳拼删tkofInP san propagationoftheading cQ：staIquality epitayer．TheDCXROo atvs部andthe fullwidthatMfm咖帆(FWHM)0f219 PLImewidth。f42meVwe嘴obtainedfor roorrrtegnp