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inpingaas hbt的频率特性分析 frequency performance analysis of inpingaas hbt

第28卷第3期 光 电 子 技 术 V01.28No.3 2008年9月 OPTOELECTRONICTECHNOLOGY Sept.2008 InP/InGaAs HBT的频率特性分析。 马晓晖,黄永清,黄 辉,吴 强,任晓敏 (北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京100876) 摘 要:频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而^,L。则是 HBT最主要的频率性能指标。首先基于InP/InGaAsHBT器件的物理结构构建了小信号等效电路 模型,对该模型进行了理论分析,随后基于提取的有效参数结果,对该等效电路模型的频率特性进 HBT 行了详细的计算和仿真,分析了影响^,厂眦。的一些主要因素,得出的结论对于InP/InGaAs 的设计制作和性能优化具有一定的指导作用。 关键词:异质结双极型晶体管;小信号电路模型;截止频率;功率增益 文献标识码:A 中图分类号:TN322+.8 of HBT PerformanceInP/InGaAs Frequency Analysis MAXiao—hui,HUANG Hui,WU Xiao—rain Yong—qing,HUANGQfang,REN of Communicationand of (KeyLaboratoryOptical LightwaveTechnologies,Ministry Postsand of 100876,CHN) Education,BeijingUniversity Telecommunications,Beijing inthe isthefirst factor of performancekey designheterojunctionbipo— Abstract:Frequency and themain this lartransistor(HBT),,T L。are frequencyparameters.Inpaper,InP/InGaAs HBT circuitmodelwasintroducedbasedonitsstructureatthe small—signalequivalent beginning. circuitmodelhadbeen basedontheexact ex— Next,the analyzedtheoretically.Then parameter been calculatedandsimulated.Somemainfactors tractionresult.thecircui

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