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inpingaas hbt高频放大器稳定性分析 stability analysis of inpingaas hbt high-frequency amplifier
辫电子·激光
of VoI．19No．3Mar．2008
第19卷第3期2008年3月 Journal
Optoelectronics·Laser
InP／InGaAs
HBT高频放大器稳定性分析*
吴 强一，黄永清，黄 辉，苗 昂j李轶群，崔海林，任晓敏
(北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室，北京100876)
摘要：根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型，以此模型用于共射放大电路为出发
点，从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因，分析了端接电阻的稳定方法，借助matlab快速确定出稳
定电阻的取值范围，其理论计算与仿真有很好的一致。
关键词：异质结双极晶体管(HBT)；小信号电路模型；晶体管高频放大器；稳定性
文献标识码：A 文章编号：1005—0086(2008)03-0296-04
中图分类号：TN324+．1；TN722
of HBT
In]P／InGaAs amplifier
Stabilityanalysis high-frequency
WU Hui，MIAO Hai-lin，
Qiang一，HUANGYong-qing，HUANGAng，LIYi-qun，CUI
RENXiao-min
of Communicationand ofPostsandTel—
(KeyLaboratoryOptical LightwaveTechnologies，EMC，BeijingUniversity
100876，China)
ecommunieations，Beijing
Abstract：A dreuitmodelisintroducedbasedonHBT．The in
high-frequencysmall-signal instabilityhigh-frequencyamplifier
andthe methodthat port-attachedresistanceare basedoncomment-emitter
stability adopts theoreticallyanalyzed amplifier
of can beobtained thetheoreticalisin a—
theabovemodd．Therangeresistance matlab，and analysis
using quickly by good
withthe
greement simulation．
circuit
Keywords：HBT；smalbsignalmodel；transistorhigh-frequency
amplifier；stability
1 引 言
现代
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