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2017-08-20 发布于上海
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inp基rtd特性的数值模拟研究 numerical simulation on characteristics of inp-base resonant tunneling diode

第30卷第3期固体电子学研究与进展 V01．30，No．3 2010年9月 OF Sep．，2010 RESEARCHPROGRESSSSE InP基RTD特性的数值模拟研究。王伟1’3“ 孙浩2 孙晓玮1 徐安怀2 齐鸣2 (·中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海，200050) (2信息功能材料国家重点实验室，上海，200050) (3中国科学院研究生院，北京，100039) 2010—01—12收稿．2010—04—19收改稿 Green’s 摘要：采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium 结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件j—y特性的影响。模拟结果表明，采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压。提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度，而散射则会导致谷值电流增大，影响其负阻特性．关键词：磷化锢基共振隧穿二极管；电流一电压特性；非平衡格林函数法；散射中图分类号：TN313文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2010)03-0317一06 NumericalSimulationonCharacteristicsofInP—base Resonant Diode Tunneling WANGWeil·3SUNHa02SUNXiaoweilXUAnhuai2 QIMin92 and Chinese ofSciences， InstituteofMicrosystemInformationTechnologyof Academy (Shanghai Shanghai，200050，CHlV) FunctionalMaterial (StateKey of for Laboratory (SGraduateofChinese of University AcademySciences，BeOing，100039，CHN) numericalsimulationiscarriedoutto the characteristics Abstract：The investigatetransport oftheInP—baseresonant diode(RTD)．TheGreen’Sfunction tunneling nOB—equilibrium on simulatorWinGreenisused．Theeffectsof (NEGF)based geometricpa- quantumtransport rameterof andIn—rich welldoublebarrier Gao．47Ino．53As／AlAsquantum