inganmg薄膜的电学特性研究 investigation of electrical properties of ingan mg films.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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inganmg薄膜的电学特性研究 investigation of electrical properties of ingan mg films

第28卷第1期固体电子学研究与进展 V01．28，No．1 2008年3月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Mar．，2008 InGaN：Mg薄膜的电学特性研究。牛南辉” 王怀兵刘建平邢燕辉韩军邓军沈光地 (北京工业大学电控学院光电子技术实验室，北京，100022) 2006-06—08收稿，2006—09—04收改稿果表明，空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下，空穴浓度随掺Mg量的增加，先升高后降低。 10”erll-3的p-InGaN；Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。关键词：铟镓氮；镁掺杂；霍尔测试；X射线双晶衍射}原子力显微镜；金属有机物化学气相淀积中图分类号：TN304文献标识码：A 文章编号：1000．3819(2008)oi一004—04 ofElectrical ofInGaNFilms Investigation Properties Mg NIUNanhuiWANG LIU XINGYanhui HuaibingJianping ‘‘“ HAN DENGSHEN Jun Jun Guangdi (Instituteof of and Information，BeijingUniversityTechnologyBeifingOptoelectronic TechnologyLaboratory，Beijing，100022，CHN) Abstract：Theelectrical of films MOCVDwithvarious properties by InGaN：Mggrown and concentrationwere holeconcentrationin— growthtemperatureMg—doping investigated．The creaseswiththeInmolefraction．Inofthe spite continuousincreaseofMgincorporation，the holeconcentrationofthefilmincreasesatfirstandthendecreasesfromacertainamount6fMg filmwithmaximumholeconcentrationvalueof2．4X incorporation．ThehighqualityInGaN：Mg 1019cm～wasobtained these In— two conditions．Theholeconcentration byoptimizing growth high filmsare tOfurther indevice GaN：Mg important improvemen