ingangan多量子阱蓝光led的p-gan盖层的mocvd生长研究 investigations of p-gan cap layers of ingangan mqw blue leds grown by mocvd.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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ingangan多量子阱蓝光led的p-gan盖层的mocvd生长研究 investigations of p-gan cap layers of ingangan mqw blue leds grown by mocvd.pdf

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! # ·$ ! 第卷第期年月 17 5 2006 5 VOl.17 NO.5 Ma 2006 Journalo O toelectronics Laser y f p ／多量子阶蓝光的盖层的 InGaN GaN LED P-GaN MOCVD 生长研究 ! ! ! ! ! ! ! ! 牛甫辉王怀兵刘建平刘乃叁邢燕辉韩军邓军郭霞沈光地北京工业大学电控学院光电子技术实验室北京 100022 摘要利用金属有机物化学气相淀积 MOCVD 生长了 InGaN GaN 多量子饼 MGW 蓝光发光二极管了不同流量下影响结明 LED 研究 C M 生长的 -GaN 盖层对器件电学特性的果表随着 C M p g p p g 2 2 量的提高流升界点会迅速恶向压先降进而研究相同生流漏电高并且到达一临化正降则低后升高