ingaas-gaas脊波导dbr激光器双模运行特性研究 investigation of dual-wavelength operation for ingaas-gaas ridge waveguide dbr lsers.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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ingaas-gaas脊波导dbr激光器双模运行特性研究 investigation of dual-wavelength operation for ingaas-gaas ridge waveguide dbr lsers.pdf

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W电字·嫩挑 V01．18No．1INov．2007 第18卷第1l期2007年11月Journalofoptoelectronlcs·Laser 方达伟““”+，徐贲3，张艺3，李晨霞3，李波3，粱永峰3 (1_湖州师范学院信息学院，浙江湖州310018；2．上海理工大学光电学院，上海200093；3．中国计量学院信息学院，浙江杭州310018) 摘要：对一种新型InGaAs-GoAs脊波导分布式Bragg反射(DBR)半导体激光器双模运行特性进行了研究。该激光器由1个普通增益区和2个DBR区组成．两DBR区采用均匀蚀刻的Bfagg光栅，中间加入50～100肿的分隔区，以减小两DBR区间的热作用影响。实验发现，在增益区偏置电流强度满足双模(双波长)运行条件的情况下，在分隔区施加一电流J印唧，会对双模词谐特性产生非常大的影响。结果表明：施加适当的j。啦可使双波长的可调谐间隔显著增加．并同时提高2个激射模的边模抑制比；在一定的范围内，较大的L。。对应较好的双模运行参数。测量了3种几何尺寸样品在多种偏置电流下的双模运行特性，对分隔区长度、T邓噼以盈两者组合对双模调谐特性的影响作了深入研究。研究结果对改善双波长DBR半导体激光器双模运行特性给出了有用的信息。关键词：分布式Bragg反射(DBR)，lnGaAs-GaAs脊渡导半导体激光器i双模运行特性中围分类号：1N248．4文献标识码：A 文章编号：l005-0086(2007)11—1310-04 of forInCraAs-GaAs DBR InvestigationDual—wavelengthOperation RidgeWaveguide Lsers FANGDa-weil’2’3～，XUBen3，ZHANGYi3，U B一，LIANG C孺eng-=dd，LI Yong-fen93 ofInformation，HuzhouTeacher’3 of andElec (1．Department College。Huzlmu313000，China；Z．CollegeOprics Scienceand 200093，ChimI3．DcpaxtmentofInforromtion tronics，Universityof帆h越for Technology，Shanghai Instituteof 310018，China) Engineering，ChinaMetrologyrHangzhou Abstract：nmdual ofanew lIIGaA}GaA3 refleetor(DBR)la- wavelengthopexation type ridgewavcguidistributedBragg DBR consist sectionand DBRsections．ThetwoDBRs uni— ∞Bisrealized．mlairs ofa twoseparate ufilb common口n form withthe arc a horxtoreduc