pmos管的低剂量率辐射损伤增强效应 pmosfets enhanced low dose rate irradiation damage.pdfVIP

第29卷第2期 固体电子学研究与进展 V01．29．No．2 OFSSE Jun．．2009 2009年6月 RESEARCHPROGRESS PM OS管的低剂量率辐射损伤增强效应’ 张华林1’2” 陆 妩3 任迪远3唐贵平1 2008一01—24收穑，2008—04·07收改稿 摘要：研究了国产非加固PMOS管在不同剂量率条件下的电离辐照效应及较高剂量率辐照后的退火效应。研 究表明，用较高剂量率辐照加退火不能达到其低剂量率辐照导致的阈电压漂移。因此PMOS管的电离辐照效应并 非时间相关效应．而是低剂量率辐射损伤增强效应。 关键词：电离辐照；阈电压漂移；低剂量率；剂量率效应 文献标识码：A 文章编号：looO一3819(2009)02—159-03 中图分类号：TN386．1 PM