高压ldmos器件esd初始失效问题及其优化方向研究 study on the esd initial failure mechanism and its improvement for hv ldmos devices.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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高压ldmos器件esd初始失效问题及其优化方向研究 study on the esd initial failure mechanism and its improvement for hv ldmos devices.pdf

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高压ldmos器件esd初始失效问题及其优化方向研究 study on the esd initial failure mechanism and its improvement for hv ldmos devices

第32卷第3期固体电子学研究与进展 Voi．32．NO．3 2012年6月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Jun．，2012 -．．】‘ Cj 同压LDMOS器件ESD初始失效问题及其优化方向研究徐向明+ 苏庆金锋王邦麟 (上海华虹NEC电子有限公司，上海，201206) 2011—12—13收稿，2012011 2收改稿摘要；研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象，通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计化方向。关键词：高压横向扩散金属氧化物半导体；静电保护；器件优化；初始失效；二次触发中围分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2012)03—0257—05 andIts ontheESDInitialFailureMechanism Study forHVLDMOSDevices Improvement XU SU JIN WANG XiangmingQing Feng Banglin Hun NECElectronics (Shanghn2Hong this ofESDand forLD- Abstract：In mechanism paper，the secondarytriggerphenomenon failure hasbeenovercomethe MOSwasstudied．Theinitial onLDMOSdevices by designopti— mizationofdevicedimensionsandstructurecombinedwith Computer key TCAD(Technology Aided Line andFA(Failure Design)simulation，TLP(TransmissionPulse)testing Analysis) in forESDrobustnessofLDMOS．In ESD improvement addition，the techniques，resultinggreat ofLDMOSdevicehasbeen design given． proposal words：HVLDMOS；ESD；deviceoptimization；initialfailure；secondarytrigger Key EEACC：2560 行保护，为了达到一定的ESD保护能力，所占用的引言面积