沟槽负斜角终端结构的耐压机理与击穿特性分析 analysis of voltage withstand mechanism and breakdown characteristic for the trench and negative bevel termination structure.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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沟槽负斜角终端结构的耐压机理与击穿特性分析 analysis of voltage withstand mechanism and breakdown characteristic for the trench and negative bevel termination structure.pdf

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沟槽负斜角终端结构的耐压机理与击穿特性分析 analysis of voltage withstand mechanism and breakdown characteristic for the trench and negative bevel termination structure

第3l卷第4期固体电子学研究与进展 V01．31，No．4 2011年8月 OFSSE RESEARCHPROGRESSAug．．2011 沟槽负斜角终端结构的耐压机理与击穿特性分析王彩琳’ 于凯 (西安理工大学，西安，710048) 2010—11-03收稿，2011—01—20收改稿摘要：对常用的场限环(FLR)和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析，讨论了其结构参数的优化方法。基于GTR台面终端结构，在功率MOSFET中引入了一种类似的沟槽负斜角终端结构。利用1SE软件对其耐压机理和击穿特性进行了模拟与分析。结果表明，采用沟槽负斜角终端结构会使功率MOSFET的耐压达到其平行平面结击穿电压的92．6％，而所占的终端尺寸仅为场限环的80％。关键词：结终端；场限环；沟槽；负斜角中图分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2011)04—0345—05 of WithstandMechanismandBreakdown AnalysisVoltage CharacteristicfortheTrenchand Negative BevelTerminationStructure WANGCailinYUKai (xi’an of University Technology．Xi’all，710048，CHN) withstandmechanismofconventionalfield Abstract：Firstly，thevoltage limitingring(FI。R) and and bevelterminationstructuresare inthis positivenegative analyzedpaper，then，theopti— mal methodsofthestructure arediscussed．Basedonthe GTR design parameters existingsquare mesaterminationstructure．abeveltrenchstructureisintroducedin Mo$ chip negative power FETdevices．ThewithstandmechanismandbreakdowncharacteristicofVDMOSwith voltage and bevelaresimulatedand ISE terminationstructureoftrenchnegative analyzedby simulator． The thatthe of MOSFETdevicewith and resultsshow breakdown trench voltagepower