20 第九章 半导体存储器2.pptVIP

9.2 随机存储器(RAM) 一、静态RAM(SRAM) 2. RAM2114芯片简介 ① 存储容量:1024字节×4位=1K×4位=4K位 ② 地址线为:A9~A0 ,10根。 行地址： A8~A3 （26=64行）； 列地址： A0~A2 ， A9（24=16列）,每列=4位 ; 总容量：26 ×（4 × 24）= 64 × 64 =4096个存储单元 例2:采用2片2114 （1024×4位）芯片，并联在一起，构成 1024 ×8位的存储器。 例4：用一片2/4译码器和四片2114实现 4096字节×4位的存储器。 例三：试用1K × 4位的2114RAM扩展一个 4K × 8位的存储器。 解:（1）确定芯片数N： N= （ 4K / 1K ）× （ 8 / 4） = 8（片） （2）确定地址系数D： 2D=4096 ，D =12 。 （3）用8片1K × 4位的2114RAM芯片，经 字位扩展构成的存储器，如图9.2.8 所示。 例四:RAM2114功能分析和应用。试用4片2114和一片74138组成2K×8位的内存单元，内存单元的寻址范围为：0400H ~ 07FFH； 1C00H ~ 1FFFH。 解： （1）将0400H ~ 07FFH； 1C00H ~ 1FFFH 变成二进制数为： A15 ~ A10A9 ~ A0 ~ A15 ~ A10 A9 ~ A0 0000 0100 0000 0000 ~ 0000 0111 1111 1111 B； 0001 1100 0000 0000 ~ 0001 1111 1111 1111 B 。 共需要16条地址线A15 ~ A0 。 （2）将内存单元地址和地址线排列成表所示的形式。 静态RAM的存储单元所用的管子数目多（即：由六管组成）,功耗大,为了克服这个缺点,人们利用大规模集成工艺,研制出动态RAM（即：由单管组成）。 SRAM 与 DRAM的重要区别在于： DRAM的存储单元是利用MOS管栅极电容具有暂存电荷的作用存储信息的。由于栅极电容的电量很小（只有几pf），而且栅极有 漏电流存在，电容上存储的信息不能长期保存，需要周期性对电容充电，而这个充电的过程就称为刷新。 1. 存储单元 RAM动态存储单元主要有三种:4管?3管和单管MOS动态存储单元。为了提高集成度，目前大容量动态RAM的存储单元普遍采用单管结构组成。如图9.2.9所示。 2. 结构 单管CMOS动态存储单元由C和T（读?写合一的门控管）组成。即：读?写选择线为一条字线，数据线也合为一条位线，信息存储在电容C上，为节省芯片面积，C的容量不大，一般远小于线上的分布电容CB，C CB。 注：电容的大小跟它的面积有关，C越大，面积越大，C越小面积越小。C=0.02pf , CB= 2pf。 3. 工作原理 写入操作 字选择线 = 1 , T导通。 1）写入“1” 使数据线为高电平1，经T 向C充电，使信息写到电容C 上。 （2）读出操作 字选择线 = 1 , T导通。 若C上所存的信息为1，则C经T向数据线分布电容CB充电，C和CB要重新分配电荷，根据C上信息的不同，电荷分配后， CB上电位将增高或降低。这个微小的电位变化，经鉴别力很高的灵敏度读出放大器放大之后，再送到存储器的输出端。即： C=1? CB上电荷↑， C=0? CB上电荷↓。 (注：由于CBC ，则uB u0) 2）写入“0” 使数据线为低电平0，C经 T向数据线放电到“0”电平 i充 + + * SRAM （Static Random Access Memory） DRAM （Dynamic Random Access Memory ） 根据存储单元的工作原理，可分为: 随机存储器简称为RAM,是电子计算机的重要组成部分,它能够存储数据?指令?中间结果。 随机存取：是指存储器中任意一个存储单元都能以随机次序迅速地存入（写入）信息或取出（读出）信息。 1.