基于变化电子流向的一种高压vdmos静态物理模型 a steady state physical model based on the varied electron flow direction for high-voltage vdmos.pdfVIP

第27卷 第4期 固体电子学研究与进展 V01．27，No．4 2007年11月 OFSSE Nov．，2007 RESEARCHPROGRESS 基于变化电子流向的一种高压 VDMOS静态物理模型 鲍嘉明” 时龙兴 孙伟锋 赵 野 陆生礼 (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京，210096) 2007—01—08收稿，2007—04—23收改稿 摘要：研究了高压VDMOS内部电子流向的变化，提出了其近似解析表达式，在此基础之上，求得了电子密度 分布变化的解析表达式，从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明，由于这一模型是基于 Kim等人模型和参考 更为合理的电子流向