离子注入制备p型sic技术研究 study of p-tpye sic fabrication by ion implantation.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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离子注入制备p型sic技术研究 study of p-tpye sic fabrication by ion implantation.pdf

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离子注入制备p型sic技术研究 study of p-tpye sic fabrication by ion implantation

电子科技2008年第21卷第9期离子注入制备P型SiC技术研究陈斌，黄雪峰，贾护军 (西安电子科技大学微电子学院，陕西西安710071) 摘要碳化硅是一种宽禁带半导体材料，适用于制作大功率器件，其材料的特点决定了碳化硅的掺杂需使用离子注入技术。然而，碳化硅P型注入仍存在许多问题，是当前研究的热点。文中在总结比较了国际该领域研究现状的基础上，分析讨论了各种碳化硅P型注入方法的优缺点。并指出了使用混合离子注入来改善注入层特性是今后制备P型SiC比较理想的技术。关键词离子注入；注入缺陷；退火；激活率中图分类号TN305文献标识码A 文章编号1007—7820(2008)09—001—04 of Ion SiCFabrication StudyP-tpye by Implantation Chen 、 Bin，Hung Hujun Xuefeng，Jia of (SchoolMicroelectronics，Xidian710071，China) University，Xi’all Abstract awide for Siliconcarbideis semiconductorwhichissuitable bandgap fabricatinghigh—power is for in becauseofits devices．Ion SiC material implantationemployedwidelydoping in of aregome SiCfabricationion which眦the currentresealeh．This problemsP-type by implantation hotspot summarizesthe onthis the and of research dif- paper majorprogresses project，analyzesadvantagedisadvantage ferentmethodsof SiCand a methodfor SiCto fabricatingP··type proposespotential fabricatingP·-type improve the performance． ion Keywords implantation；implanteddamage；anneal；activationefficiency 碳化硅是一种宽禁带半导体材料。3C—SiC和 1 SiC的B离子注入技术 4H—SiC的禁带宽度分别为2．2e