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快速光退火对ito薄膜结构和性能的改善 the improvement of ito thin film through rapid optical annealing
第28卷第1期 光 电 子 技 术 V01．28No．1
2008年3月 OPTOEI。ECTRONICTECHNOI。OGY Mar．2008
矛qp、pp、，p虬
§应用技术≮
崎女一一一一。
快速光退火对ITO薄膜结构和性能的改善
张庆丰，谷锦华，郭学军，郑 文，卢景霄
(郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室，郑州450052)
摘 要：利用电子束蒸发技术在常温下制备IT0透明导电膜，在这种条件下很难得到性能良
好的透明导电膜，试图通过研究快速光热退火下退火温度、退火时间对其性能的影响，致力于在低
温退火工艺下改善薄膜性能。通过对退火后样品禁带宽度的计算得出随着退火温度或退火时间的
增大，禁带宽度逐渐增大；对样品的微结构分析发现随着退火温度的提高或退火时间的延长，样品
的微结构致密性提高，各晶向面间距和晶格常数逐渐趋于标准的晶体；但退火温度过高或退火时
间过长反而不利于透明导电膜性能的提高，所以选取合适的退火温度和退火时闻是光退火下透光
性和导电性都得到提升的关键。在200。C的退火温度下，退火12min可实现样品的透光率在可见光
范围内达到82％，电阻率p一2．3×10-3Q·cm。
关键词：快速光退火；ITO透明导电膜；电子束蒸发；光电性能
中图分类号：TN304．055文献标识码：A
The ofITOThinFiIm
Improvement ThroughRapidOpticalAnnealing
ZHANG Jin—hua，GUOXue—jun，ZHENWen，LU
Qing—feng，GU Jing—xiao
ofMaterial ofEducation，School
(KeyLaboratory PhysicsofMinistry ofPhysicalEngineering，
450052，CHN)
ZhengzhouUniversity，Zhengzhou
Abstract：Itisdifficulttoobtainedthinfilmswhen indiumoxide(ITO)is
good tin—doped
electronbeam on orderim—
substratesatroom to
preparedby evaporationglass temperature．In
the wereannealedthe underdifferent
proveproperties，thesesamples by rapidopticalannealing
and theeffectofthe conditionsonthe
temperaturetimes，then photoelectric
annealing annealing
ITO werestudied．It
andthemicrostructureof films showsthatthe increaseswith
properties
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