快速热退火制备多晶硅薄膜的研究 study of preparing polycrystalline silicon thin film by rta.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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快速热退火制备多晶硅薄膜的研究 study of preparing polycrystalline silicon thin film by rta.pdf

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快速热退火制备多晶硅薄膜的研究 study of preparing polycrystalline silicon thin film by rta

第28卷第4期电子元件与材料 V01．28NO．4 ANDMATERIALS 2009年4月 ELECTRONICCoMPONE：NTS Apr．2009 快速热退火制备多晶硅薄膜的研究王红娟，吕晓东，黄义定，仲志国 (南阳师范学院物理与电子工程学院，河南南阳473061) 摘要：采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中进行退火．研究了升温速率．降温速率对晶化的影响．结果表明：退火中，升温速率越大，越不利于晶核的形成；降温速率较小时 (100U／60 S)，形成的晶粒尺寸较小，晶化情况较好，晶化率估算迭64．56％．关键词：半导体材料；快速热退火；多晶硅薄膜；升温速率；晶粒度 doi：10．3969(i．issn．1001·2028．2009．04．017 中图分类号：TM23 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2009)04．0055．03 of film siliconthin RTA Studypreparingpolycrysta¨ine by WANG Hongjuan，LUXiaodong，HUANGYiding，ZHONGZhiguo Normal (PhysicsElectronicEngineeringCollegeofNanyangUniversity，Nanyang4q3061，HenanProvince，China) Abstract：The口·Si：Hthinfilmswere byPECVDandthenwereannealedinRTAfumace．The deposited filmswas microstructureofthin XRDandRaman influencesofthe rateandthe investigatedby spccra．The heating cooling ratewerestudied．Theresultsshowthatthe ratehaseffectontheformationofnucleus．Thethe rate heating biggerheating lessthenuclei the 00℃／60 smallerthe sizeis．The is，the forms；the cooling rate(i s)is，the bigger velocity grain ratioisabout64．56％． crystallization thermal thin words：semiconductor silicon size Key materials；rapidannealing(RTA)；polyerystallinefilm；heatingrate；grain 由于多晶硅薄膜成本低、易于大面积制作，