5 v正极材料licr0.5mn1.5o4的电化学性能研究 study on electrochemical performance of 5 v cathode material licr0.5mn1.5o4.pdfVIP
- 1
- 0
- 约1.08万字
- 约 3页
- 2017-08-22 发布于上海
- 举报
5 v正极材料licr0.5mn1.5o4的电化学性能研究 study on electrochemical performance of 5 v cathode material licr0.5mn1.5o4
第26卷第“期 电 子 元 件 与 材 料 Vol26Nol
2007年lJ月 ELECTRoNICCOMPoNENTSANDMATERIALS Nov.2007
5
巩桂英,徐宇虹,马萍,张宝宏
(哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院,黑龙江哈尔滨 l50001)
摘要:采用柠檬酸络合法,制备了尖晶石结构的Lic功sMnl504正极材料。通过循环伏安、电化学阻抗谱、恒流充放
电等方法,测试其电化学性能。鲒果表明:铬离子的加八不但增加了锰离子的平均化舍价,有效抑制了Ja}ln一1Hl盯效应,
85
而且达到了5v的工作电压,稳定了尖晶石结构。材料存在一个活化过程,最大放电比容量达到了145mAh·F‘。经
过30次充放电循环之后,放电比容量仍然稳定在121‘33mAh·g,显示了起好的循环性能,为高电位锂离子电池应
用提供了良好的应用前景。
关键词:无
您可能关注的文档
- (sr0.5ba0.5)1.9ca0.1nanb5-xtaxo15陶瓷的介电性能 dielectric properties of (sr0.5ba0.5)1.9ca0.1nanb5-xtaxo15 ceramics.pdf
- (sr0.95ca0.05)tio3压敏电阻器的研究 study on (sr0.95ca0.05)tio3 varistor.pdf
- 0.13 μm cmos超宽带低噪声放大器的设计 0.13μm cmos uwb lna design.pdf
- (pb0.76ca0.24)tio3薄膜电畴反转行为的压电力显微镜研究 piezoresponse force microscopy studies of domain switching behavior in (pb0.76ca0.24)tio3 thin films.pdf
- 2.5d堆叠硅片互联技术推动fpga加速取代asic和assp.pdf
- 3a数字电源解决方案具有电源管理功能.pdf
- 2.服务提供健康管理和生活信息通过网络发挥电子产品的特有功能.pdf
- 3d芯片封装有效缩小产品体积.pdf
- 3d ic挑战大,量产要等3~5年.pdf
- 3g cmos功率放大器提升移动设备可靠性和数据传输率.pdf
- 5种农作物锈病孢子的扫描电镜观察 sem observation of spores in five crop rust leaves.pdf
- 5月北美半导体设备bb值为0.74订单金额较上月增长16%.pdf
- 4级转换调光镇流器.pdf
- 7.通信内容共享由dlan决定电力线网络走入普及期.pdf
- 6核dsp加快lte配置级别及下一代无线标准.pdf
- 7月北美半导体设备bb值为0.83.pdf
- 7月北美半导体设备bb值为1.06继2007年1月以来首次突破1.pdf
- 9月北美半导体设备bb值为1.17.pdf
- 8位mcu提供强化的网络和通信功能.pdf
- 8通道超声前端ic具有低噪声和高动态范围.pdf
原创力文档

文档评论(0)