碳致深能级引起的algangan hemt电流崩塌现象 carbon-induced deep traps responsible for current collapse in aigangan hemts.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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碳致深能级引起的algangan hemt电流崩塌现象 carbon-induced deep traps responsible for current collapse in aigangan hemts.pdf

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碳致深能级引起的algangan hemt电流崩塌现象 carbon-induced deep traps responsible for current collapse in aigangan hemts

第29卷第6期半导体学报 v01．29No．6 oF June，2008 2008年6月 JOuRNALSEMICONDUCTORS Carbon——Induced forCurrent Deep Responsible Traps Collapse 。 in HEMTs’ AIGaN／GaN Lei’，Li Xuan， Pang Chengzhan，WangD0ngdong，HuangJun，Zeng Liu He Xinyu，Liu Jian，ZhengYingkui，andZhijing (InstituteMicroelectronics，Chinese of AcademyofSciences，BeOing100029．China) microwave of been current Abstract：Althoughoutstanding powerperformanceAIGaN／GaNHEMTshas reported，drain isstilla this wagcarriedouttodemonstrateonefactor the paper，anexperiment collapse．Two collapse problem．In causing wereannealedunder withandwithoutcarbon theXPSmeasure． AIGaN／OaNsamples N2-atmosphere incorporation，and ment wasusedtodeterminethattheconcentrationofcarbon inthelatter wasfar thanin technique impurity sample higher theformer．Fromthe oftwo concludethatcarbon is comparisonId-Vd‘characteristics，we impurityincorporationrespon- siblefortheseverecurrent carbon under biasstresscan the collapse．Theimpurity—induceddeeptraps negativegate capture