提高gan基发光二极管外量子效率的途径 improvement of the external quantum efficiency of gan -based leds.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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提高gan基发光二极管外量子效率的途径 improvement of the external quantum efficiency of gan -based leds.pdf

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提高gan基发光二极管外量子效率的途径 improvement of the external quantum efficiency of gan -based leds

中国照明电器 2010年第3期 CHINALIGHT＆LIGHTING 15 提高GaN基发光二极管外量子效率的途径孥为军 (国家电光源质量监督检验中心(上海)、国家灯具质量监督检验中心、上海时代之光照明电器检测有限公司，上海200233) 摘要外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面／半极性面生长技术、分布布拉格反射层(DBR)结构、改变LED基底几何外形来改变光在LED内部反射的路径、表面粗化处理，以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与SU8相结合技术在提高LED外量子光效率方面进行了初步探索。关键词外量子效率光芯片非极性面／丰极性面生长技术分布布拉格反射层(DBR)结构子晶体技术和全息技术纳米压印技术与SU8技术 oftheExternal ofGaN·--basedLEDs Improvement QuantumEfficiency LiWeijun Source National (NationalLight QualitySupervisionTestingCenter(Shanghai)，ChinaLightingFitting QualitySupervisionTestingCenter，ShanghaiAlphaLightingEquipmentTesting 200233) Ltd．，Shanghai lowexternal ties Abstract：The quantumefficiencyupthe ofLEDs．Thisarticle development mainly introducesrecentresearch of theexternal ofGaN·basedLEDs．The progressincreasing quantumefficiency of includethatmicro—surface substratesanddistributed waysimprovementmainly roughening，micro-pattern Braggreflector(DBR)structure．Ofcourse，recentmethods，for or example，non—polarsemi—polarplane and arealsodiscussed．Atthesame growthtechnology，photoniccrystalholographytechnology time， on studythecombinationof andSUB isalsonotedinthis preliminary nano—imprintlithographytechnology paper· Keywords：external