提高mos功率晶体管封装可靠性技术研究 improving the reliability of power mosfet package.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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提高mos功率晶体管封装可靠性技术研究 improving the reliability of power mosfet package

提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究张国光1，郑学仁2，张顺1，张国俊1，郑春扬1，吴朝晖2 (1．佛山市蓝箭电子有限公司，广东佛山 528000； 2．华南理工大学电子与信息学院．广东广州 510640) 摘要：功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标．严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术。并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。关键词：金属一氧化物一半导体器件；功率品体管；封装；导通电阻；器件可靠性 of MOSFET the Power Package ImprovingReliability ZHANG Xue-ren2，ZHANGshunl，ZHANG Guo—guan91，ZHENG Guo-junl， ZHENG Chao-hui2 Chun-yan91．WU BlueRocketElectronics (1．Foslian Co．Ltd．，Foshan528000，China； 2．Schoolof andInformation ofSouthChina of Electronic Engineering UniversityTechnology， 510640，China) Guangzhou forwardon—resistanceofaVDMOStransistoran Abstract：The power i．s importantparameter， whichhasa effectonthedevice suchas great reliability．Severalpackagetechniquesdecreasing theon-resistanceand thevoidsinthesolder to the are controlling layerimprovereliability discussedandillustratedwithsomeactual inthis examplespaper． Keywords：MOSFET；powertransistor；package；on-resistor；devicereliability 1 引言和开关速度快等特点．广泛用于高功率DC／DC转换和功率开关中。但功率VDMOS的高压大电流的新一代半导体功率器件垂直导电双扩散场效应工作条件使得其功耗及自热效应相当明显，而温度 FET)。由于其单元集成度高，具晶体管(VDMOS 的升高又必然会加速微电子器件的性能退化和参数有很低的导通电阻等优势．与双极型大功率三极管嬗变【2-3】．对其可靠性造成严重影响甚至引起器件相