铁氧体-硅双层基片微带线的谱域导抗法分析 analysis of dispersion characteristic of microstrip lines on ferrite silicon structures with spectral-domain method.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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铁氧体-硅双层基片微带线的谱域导抗法分析analysisofdispersioncharacteristicofmicrostriplinesonferrite

锈氧体一硅双层基片微静线的黼方穗i分析电子质量(2013第03期) ===========================================一：铁氧体一硅双层基片微带线的谱域导抗法分析 of of Characteristic Lineson AnalysisDispersion Microstrip FerriteSiliconStructureswith Method Spectral-Domain 郑雨薇。吕坤颐(重庆邮电大学光电工程学院，重庆400065) Yu-wei，Lv of ofPosts Zheng Kun-yi(College and Photo-ElecⅡonics，ChongqingUniversity Telecommunications, Chongqin9400065) 摘要：该文提出两种铁氧体一硅双层基片的微带线结构，并通过对麦克斯韦方程的坐标旋转和傅里叶变换导出波导纳，用谱域导抗法进行特性分析。尤其是对微带线的色散特性进行了计算，讨论了微带线各种参数对色散特性的影响，并对它们的特性进行了对比，发现其中一种结构的色散受各因素的影响很小，尤其是介质的工艺尺度，可用于更高集成电路的制造中。关键词：微带；铁氧体；谱域导抗法；色散中图分类号：TN61 文献标识码：A 文章编号：1003-0107(2013)03-0005-04 Abslraet：This two linestructurewithferrite＆silicon asasub- paperpresentmicrostrip configurations workoutthe strate．and waveconductancethecoordinatesofMaxwell‘s and byrotating equations using Fourier thecharacteristics method．Then．calculatethiskindof transform，analyze throughSpectral—Domain line。s microstripdispersioncharacteristics。anddiscuss contrasttheircharacteris— parameters’effect．and tics．Foundthatastructure’s haslittlewith it canbeusedin dispersion factors。especiallytechnology．and themanufactureof circuits integratedhigher． Key word=：Microstrip；Fer