半导体物理学课程教学大纲.docVIP

半导体物理学 课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称、所属专业、课程性质、学分； 课程名称：半导体物理学 所属专业：微电子科学与工程 课程性质：专业基础课 学 分：4 （二）课程简介、目标与任务； 本课程是专业本科生必修的专业基础课该课程的进一步学习科学的其他课程提供理论。是专业方向硕士研究生入学考试必考科目。在专业教学中占有重要地位。 该课程目的是，为将来。2011，第七版。 主要参考书： 1. 钱佑华、徐至中，《半导体物理学》，高等教育出版社，1999，第一版 2. Semiconductor Physics and Devices Basic Principle(3rd Edition)，Donald A. Neamen, McGraw- Hill Co. 2000 (清华大学出版社 影印版，2003.12 ) 《半导体物理与器件》》(第三版) 国外电子与通信教材系列作者： (美)Donald A.Neamen， 电子工业出版社，2005。 二、课程内容与安排 第一章 半导体中的电子状态 第一节 半导体的晶格结构和结合性质 第二节 半导体中的电子状态和能带 第三节 半导体中的电子的运动、有效质量 第四节 本征半导体的导电机构、空穴 第五节 回旋共振 第六节 硅和锗的能带结构 第七节 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 第一节 硅、锗晶体中的杂质能级 第二节 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 第三节 缺陷、位错能级 第三章 半导体中载流子的统计分布 第一节 状态密度 第二节 费米能级和载流子的统计分布 第三节 本征半导体的载流子浓度 第四节 杂质半导体的载流子浓度 第五节 一般情况下的载流子统计分布 第六节 简并半导体 第四章 半导体的导电性 第一节 载流子的漂移运动 和迁移率 第二节 载流子的散射 第三节 迁移率及其杂质浓度及温度的关系 第四节 电阻率及其杂质浓度和温度的关系 第五节 强电场下的效应、热载流子 第六节 多能谷散射、耿氏效应 第五章 非平衡载流子 第一节 非平衡载流子的注入与复合 第二节 非平衡载流子的寿命 第三节 准费米能级 第四节 复合理论 第五节 陷阱效应 第六节 非平衡载流子的扩散运动 第八节 连续性方程 第九节 硅的少数载流子寿命与扩散长度 第六章 p-n结 第一节 p-n结及其能带 第二节 p-n结电压电流特性 第三节 p-n结电容 第四节 p-n结击穿 第五节 p-n结隧道效应 第七章 金属和半导体接触 第一节 金属半导体接触及其能级图 第二节 金属半导体接触整流理论 第三节 少数载流子的注入和欧姆接触 第八章 半导体表面与MIS结构 第一节 表面态 第二节 表面电场效应 第三节 MIS（MOS）结构的电容-电压特性 第四节 硅-二氧化硅系统的性质 第五节 表面电导及迁移率 第九章 半导体异质结构 第一节 半导体异质结及其能带图 第二节 半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性 第三节 半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性 第四节 半导体超晶格 第十章 半导体霍尔效应 第一节 一种载流子的霍尔效应 第二节 两种载流子的霍尔效应 第三节 霍尔效应的应用 （一）教学方法与学时分配 1、教学方法： （1）课堂教学 采用传统板书与多媒体课件相结合的课堂教学方法。对重点、难点部分等，尽可能采用黑板书写，而对于一般性的文字叙述和图片资料，则采用多媒体教学。课后布置一定数量的习题，让学生加深理解，巩固所学的核心知识点。作业批改量达到100%。对作业中出现的错误明确指出存在的主要问题，共性问题则在答疑时集中讲解。组织若干次习题课，让学生全面系统地加深和巩固本课程的知识体系。 （2）课后答疑 每学期安排若干次答疑，及时了解学生的学习情况和对关键知识的掌握程度。 2、学时分配： 第一章 半导体中的电子状态（共8学时） 第二章 半导体中的杂质和缺陷能级（共4学时） 第三章 半导体中载流子的统计分布（共8学时） 第四章 半导体的导电性（共8学时） 第五章 非平衡载流子（共10学时） 第六章 p-n结（共8学时） 第七章 金属和半导体接触（共8学时） 第八章 半导体表面与MIS结构（共8学时） 第九章 半导体异质结构（共6学时） 第十章 半导体霍尔效应（共4学时） （二）内容及基本要求 主要内容：该课程主要介绍半导体材料和器件的重要物理现象，阐述半导体物理的理论及有关物理量的实验方法。具体包括：硅、锗、砷化镓等晶体结构和电子状态，杂质和缺陷能级及半导体能带，载流子的统计分布、散射级电导，非平衡载流子的产生、复合及其运动规律，半导体导电性质及霍尔效应，半