集成电路基本制造技术..doc

第3章 习题及参考答案 集成电路基本制造技术是那些？硅片制造中要注意那些问题？其主要的工艺步骤是那些？ 集成电路制造技术，包括硅材料、薄膜制备、外延、氧化、掺杂、淀积、掩模制造、光刻、切割、封装等技术。 随着单晶硅园片直径越来越大，制造集成电路会出现以下问题： (1) 硅片电参数径向均匀性质差：在大直径单晶发展过程中，结晶前经受熔硅波动的影响较难保持稳定。 (2) 硅片平整度的问题：大直径硅片在应力作用下容易翘曲。 （3）采用低温加工环境：为了防止因杂质原子的扩散引起结构的退化，在集成电路制造过程中应尽量降低加工温度，如果加工环境温度过高会加速缺陷的产生和重构，因此为了抑制硅片中工艺诱发缺陷的产生，也应当尽可能用低温加工环境进行制造。 其主要的工艺步骤： 1.单晶生长：用直拉法生长单晶的装置是拉晶炉或单晶炉。 2.拉晶过程可以分为： （1） 熔硅，熔硅需要一定的时间，熔融硅中掺入杂质挥发量大，故坩埚熔化也严重，坩埚位置调节很重要。需严格控制熔硅过程。 （2） 引晶，将籽晶与熔硅接触，若熔硅温度合适熔硅很快浸润籽晶，并沿籽晶垂直攀缘而上，籽晶与熔硅长时间接触，既不会进一步熔化，也不会生长。 （3） 收颈，观察弯曲面形状，如果适当，就开始将籽晶慢慢向上提拉。形成细而长的颈部，有利于抑制错位从籽晶向颈部以下晶体延伸。 （4） 放肩，根据引颈时的温度变化，随时测量直径，保持温度稳定，尽可能长成平肩。 （5） 收肩（转肩）。当肩部直径约比需要的单晶直径小3~5mm时，将提拉速度提高，使直径增长速度降低，保持熔硅液面始终在相对固定的位置上。 （6） 等径生长，当直径达到要求后，在自动控制下开始等直径生长。 （7） 收尾，当坩埚中剩量达到控制下限时，逐渐升温使尾部生长成形。 3. 硅片制备 从单晶硅锭到硅片抛光需要经过多次机械加工和化学腐蚀，表面抛光以及清洗，检测和若干其他辅助工艺。其主要工艺如下： （1）晶向测定 在籽晶切割，定位面研磨和切片操作之前，需要进行定向，使晶向及其偏差范围符合工艺规范要求，用X射线衍射定向法测定。 （2）机械加工 单晶硅外形整理，切割分段，外圆滚磨和定位面研磨等，然后进行切片。对于大直径单晶硅，应使用带式切割机切断。 （3）切片 切片是硅片制备中重要工序，其四个重要工艺参数，即晶向、原度、平行度、翘度。将单晶硅锭经清洗后在切割机上切片，经常注意切片质量，不符合质量要求修正刀片。在切片过程中，可能出现划伤，或表面有裂缝。 什麽是外延技术？常用的外延技术有几种？它们主要的技术要点是什么？ 在单晶硅衬底上生长一层新薄层单晶的技术，称为外延生长。外延方法很多，硅半导体器件与集成电路中通常采用硅气相外延法。 具体方法有： 1.四氯化硅氢还原法，这种方法是目前生产中采用的主要方法。其优点是SiCl4易于纯化，操作安全，对其生长规律也比较了解。但是，由于它要求高的反应温度，同时存在可逆化学反应，引起了显著的杂质扩散与自掺杂效应，因而难以控制外延层的杂质分布，也无法制造杂质分布突变的p-n结。所以当要求薄至1~2μm的外延层，且对图形的漂移与畸变有更苛刻的要求的，此种方法就不适用了。 2.硅烷热分解法外延，硅烷热分解法是在较低的分解温度下，分解出硅原子淀积在衬底上，其反应为： 600℃ SiH4 ===== Si + 2H2 反应中不存在对杂质起输送作用的氯离子，因而有利于克服杂质的扩散与自掺杂效应，从而能获得杂质分布可控的薄外延层与较徒的杂质分布。此外，硅烷外延时基本上不存在图形漂移与畸变现象。 叙述氧化工艺的特点及二氧化硅的结构和性质。 氧化工艺是集成电路制造中的基本工艺。为满足集成电路制造的要求，出现了制备二氧化硅膜的多种方法。如高温热氧化，化学气相淀积、阴极溅射，真空蒸发，外延淀积，阴极氧化等等。其中高温热氧化应用最广泛，至今仍然是集成电路制造中二氧化硅膜形成的最主要方法。生长的氧化层主要作用是对硅的表面保护，作为离子注入和扩散的掩膜；电介质薄膜；衬底和其他材料之间的界面层。 二氧化硅薄膜具有无定形玻璃状结构。这种结构的基本单元是一个由Si—O原子组成的正四面体.硅原子位于正四面体的中心，氧原子位于四个顶角，两个相邻的四面体通过一个桥键氧原子连接起来，构成无规则排列的三维网络结构。无定形二氧化硅膜不同于石英晶体，从整体来看二氧化硅膜，原子排列是混乱的，不规则的，即所谓“长程无序”。而从局部看，原子排列并非完全杂乱，而是有一定规则，既所谓“短程有序”二氧化硅膜并不完全由杂乱的网络组成，相当短的有序区域是存在的。 二氧化硅膜的性质与杂质的引入有很大关系，如作为绝缘体的二氧化硅，其导电率一般为10-6~10-20W-2cm-2，但掺入某些杂质后可变成半导电的或导电的玻璃。二氧化硅的腐蚀速度，熔化温度等