原创力文档1064 nm与532 nm激光对电子束蒸发制备的hfo2sio2高反膜损伤比较 comparison of laser induced damage at 1 064 nm and 532 nm to high-reflective film fabricated by electron beam evaporation.pdfVIP
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- 2017-08-23 发布于上海
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1064 nm与532 nm激光对电子束蒸发制备的hfo2sio2高反膜损伤比较 comparison of laser induced damage at 1 064 nm and 532 nm to high-reflective film fabricated by electron beam evaporation
第20卷第9期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．20，No．9
2008年9月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Sep．，2008
文章编号： 100l一4322(2008)09一1457—04
1064 nm激光对电子束蒸发制备的
nm与532
Hf02／Si02高反膜损伤比较’
李大伟h2， 陶春先h2， 李 笑1’2， 赵元安1， 邵建达1
1．中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心，上海Z018001
2．中国科学院研究生院，北京100039)
064
摘要：研究了电子束蒸发制备的Hf()。／Si02高反膜在inm与532nm激光辐照下的损伤行为。
基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑．当能量密度较大时出现分层剥落；二倍频激光损
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