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外场作用下晶体的光学性质 第五讲：电光效应 1、电光效应的基本原理； 2、线性电光效应的一般描述； 3、纵向电光效应； 4、横向电光效应。 前面讨论的是晶体不受外场(电场、应力(应变)场、磁场、温场)的作用，只受到传统光源发出的光照射时晶体的光学性质。事实上，外场作用对晶体的光学性质有很大的影响。在1815年布鲁斯持就曾提出在应力作用下胶状物通光可观察到从无双折射到有双折射现象。1875年克尔(Kerr)就发现对光学各向同性介质陇璃、硝基苯溶液)施加电场时，会出现与各向异性的晶体类似的双折射现象。以后又发现玻璃和立方晶系晶体或单轴品体在其它外场作用下具有双抽晶体的光学性质等等。从而出现了所谓的电光效应、弹光效应．磁光、热光、光折变等效应。 一、电光效应的基本原理 在外加电场的作用下，晶体折射率发生变化的现象称为电光效应。电光效应的产生是由外加低频电场作用时改变了介质内电子圾化引起的，在没加低频电场时，以传统光照射晶体，光波电场(E(?)＜6×102V/m)与晶体介质作用将产生光频电位移D(?) 晶体在受到光照的同时，也受到外电场(低频或直流)的作用，则其非线性极化强度为 若只考虑二次非线性极化有： 其中： 则有： 式中?0为末加外场时的介电常数，上式说明加上外场后，介电常数的变化与外场E(?)成线性关系. 对于非磁性晶体介质，则有 外加电场E(?)引起晶体折射率发生线性的变化即产生线性电光效应： 晶体中光波的E矢量和D矢量之间关系满足: 菲涅尔椭球： 折射率椭球： 假设某晶体在没加外电场时，光率体为： 加外电场E(?)后，光率体变为: 其中： 描述电光效应可用光率体的变化来直观地表示： 二、线性电光效应的一般描述 1892年，普克尔首先提出了有些晶体的折射率(或逆介电张量?)的变化仅与外加低频电场E(?)成正比的关系。这就是所谓的普克尔效应，也称线性电光效应，或一次电光效应。 由于?是二阶张量，E是一阶张量(矢量)，故?ijk形成 三阶张量?。) 当直角坐标系选在与晶体对称轴一致时,?0ij只有三个 主分量，切向分量全为零: 外加低频电场E(?)后，描述线性电光效应的可写为: 其矩阵形式为： 矩阵展开得： 由于外加低频电场压E(?)的作用，光率体系数变为： 其方程变为： 外加电场E(?)的作用，使光率体的形状和取向都发生了改变，即改变了晶体光学性质。 三、结构对称性对电光系数的影响 由于?是三阶张量，所以只能在20种没有对称中心的晶类(432除外)的压电晶体中可能有线性电光效应；在11种具有对称中心以及432晶类的晶体中不可能具有线性电光效应。考虑到?ijk的前两个下标具有对称性，将其简化下标后，线性电光系数(?ijk)由原来的27个减至18个分量。再根据诺埃曼原理，在压电晶体中各晶类结构对称性对(?ijk)的影响，(?ijk)的独立 分量还将进一步减少. 各晶类线性电光系数(?ijk)矩阵形式 (右下角数字为独立分量数) 四、KDP晶体线性电光效应 KDP型晶体属于42m晶类，是单铀晶体。没加低频电场时光率体是一个以x3轴(光轴)为旋转轴的旋转椭球体，其方程为 外加低频电场E(?)＝(E1，E2，E3)时，由线性电光效应得: 上式表明，由于线性电光效应，KDP晶体的由原来 单轴晶变成双轴晶。 KDP型晶体由?63和?41两个系数表示的效应。也就是沿助(原光轴x3)方向或垂直x3方向外加电场产生的线性电光效应。下面分别介绍之。 1、 ?63纵向效应 在垂直KDP晶体的z—切片方向通光并加电场，即K/E/x3，光率体发生畸变的现象称为?63的纵向效应。没加电场时沿垂直KDP晶体z—切片通光不发生双折射。光率体中心截面是一个以n0为半径的圆。若再沿K方向加电场，即E＝(0，0，E3): 加电场E3后光率体不但形状发生了变化，面且使x1和x2轴绕x3轴转了一个角度，解久期方程将上式主轴化： 由于沿主轴方向感生矢量与作用矢量平行 线性齐次方程组，它具有非零解的条件是系数行列 式为零： 可以证明，?’，?’’，?’’’就是加电场E3后新光率体的三个主值?’，?’’，?’’’。如果沿新光率体三个主轴方向取坐标轴为X1，X2，X3，则主轴化新光率体方程为: 畸变后的光率体主折射率为 上式说明加电场E3后使KDP晶体的光率体由原来的旋转椭球体变成双轴晶体的三轴椭球体。 进一步可以证明加电场E3后使光率体主轴x1和x2绕x3轴转过45o角。将?’＝?01十?63代入方程组。解得主轴坐标系X1轴在旧坐标系三个轴上投影分量X1’＝X’2，X’3=0(见图所示)。因此，新X1轴相对旧轴x1、x2、x3的方向余弦为: 同理得到主轴坐标系X