4h-sic mesfet直流i-v特性解析模型 an analytical model of i-v characteristics of 4h-sic mesfet.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.17万字
约 3页
2017-08-25 发布于上海
举报
版权申诉

4h-sic mesfet直流i-v特性解析模型 an analytical model of i-v characteristics of 4h-sic mesfet.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

4h-sic mesfet直流i-v特性解析模型 an analytical model of i-v characteristics of 4h-sic mesfet

■覆翟雹冒皿壁堂坚董；兰旦二墅竺坚兰墨里垦!亘速!：兰壁壁壁堑堡型 4H—SiC MESFET直流J—y特性解析模型。’ 任学峰，杨银堂，贾护军 ’． (西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安 710071) 摘要：提出一种改进的4H—SiC MESFET非线性直流解析模型，该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析，在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上，考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响，建立基于物理的沟道长度调制效应模型，模拟结果与实测的卜-V特性较为吻合。在器件设计初期，可以有效地预测器件的工作状态。关键词：4H—SiC；射频功率MESFET}卜·V特性；解析模型、中图分类号：TN386 文献标识码：B 文章编号：1004—373x(2008)10—024—03 An ModelofJ—V Analytical Characteristicsof4H—SiCMESFET REN Xuefeng，YANG Yintang，JIAHujun Labof ofEducationforWide SemiconductorMaterialsand (Key Ministry Band—Gap Devices，InstiofMieroele，Xidian Abstract：An modelfor4H—SiCMESFETis isbasedonan of 2一D improvedanalytical the dis— developed。whichanalysis tributionof underthe saturationand modulationeffects charges gate，withfield—dependencemobility，velocity channel—length takenintoconsideration．Simulationresultsshowthatthemodelwith matchthe f modulationeffects measured channel—length —Vcharacteristicsinthesaturation theinitial ofdevice，theworkstatecanbe region．In design predictedeffictive． Keywords：4H—SiC；RFMESFET；J—y model characte“stics；analytical SiC是一种宽禁带半导体，有许多值得关注的物理特拟合参数。在300 K时‘“，产曲一40em2／Vs，∥。，一 950 性和电特性，具有禁带宽度大(3．2eV)、临界击穿电场强 cm2／Vs，口一0．76和