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* 二极管、三极管 二极管、三极管 重要的半导体器件 重要的电子电路的基础组成器件 重要的集成电路原型 二极管 二极管概述: 二极管又称晶体二极管,diode 它是一种具有单向传导电流的电子器件 晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面 二极管结构、符号 二极管的主要特性 1. 单向导电性 PN结(二极管)的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 注意:只有在外加正向电压时这一特性才显示出来。被动器件 3. 管压降特性: 在二极管导通后,正向压降基本不变,管子的正向电流发生很大变化时,正向压降才有微小的变化。换言之,当正向电压有一个微小变化时,将引起正向电流的很大变化。硅二极管的正向压降为0.6V左右,锗二极管的正向压降为0.2V左右。 2. 正向电阻小,反向电阻大 正向电阻是指二极管正向导通后管子正负极间的电阻(是PN结的正向电阻)这一电阻很小——正向电阻小。反向电阻是指二极管处于反向偏置而未击穿时的电阻(是PN结的反向电阻),这一电阻很大——反向电阻很大。 锗管 正向特性 10 硅管 I/mA U/V 0 20 40 30 20 10 20 死区电压 μA 0.5 1.0 1.5 反向特性 二极管的伏安特性 4 .二极管的V—A特性 2)、反向特性 二极管两端加上反向电压时,反向 电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 1)、正向特性 加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 二极管的主要特性 锗管 正向特性 10 硅管 I/mA U/V 0 20 40 30 20 10 20 死区电压 μA 0.5 1.0 1.5 反向特性 二极管的伏安特性 二极管的主要特性 3)、反向击穿特性 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。电击穿(雪崩击穿和齐纳击穿)可逆,热击穿不可逆。 主要应用为稳压二极管和瞬态抑制二极管等 二极管的分类 二极管的分类 除普通二极管外,还有若干特殊二极管:用于稳压的稳压二极管(齐纳二极管)、用于调谐的变容二极管、以及光电子器件(光电二极管等、发光二极管、激光二极管)等。 二极管的应用 ※二极管的整流 大多数电器设备无法直接使用交流电,必须把交流电转换成直流电以后才能加以利用。把交流电转换成直流电的过程叫做“整流”。 二极管使用在限幅、开关、低电压稳压等电路中,起整流、检波、限幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等作用。 三极管 半导体三极管有两种类型: 一种是双极型半导体三极管(BJT Bipolar Junction transistor),常称为晶体管,在电路中常用“Q”加数字表示 ,有两种载流子参与导电(多数载流子和少数载流子),被称之为双极型器件。晶体管是电流控制元件,由两个PN结组合而成 另一种是场效应半导体三极管,仅由一种载流子(多数)参与导电,所以称之为单极型器件。场效应管是电压控制元件,由电场效应来控制其电流大小, 分为两大类:结型场效应管(JFET Junction type Field Effect Transistor)和金属氧化物半导体场效应管(MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor ) 三极管概述: 三极管结构、符号: NPN型 PNP型 结构 符号 结构 符号 ※由于三极管的结构和外形特征,它有三个接出来的端点,所以便被形象的命名为三极管。 ※并不是所有三脚的器件都是三极管 三极管的基本结构是两个反向连结的PN结面 有pnp和npn 两种组合;三个接出来的端点依序称为发射极(emitter,E)、基极(base,B)和集电极(collector,C) 三极管参数
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