电子基础第1~3篇二极管三极管场效应管.ppt

* 二极管、三极管 二极管、三极管 重要的半导体器件 重要的电子电路的基础组成器件 重要的集成电路原型 二极管 二极管概述： 二极管又称晶体二极管,diode 它是一种具有单向传导电流的电子器件 晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面 二极管结构、符号 二极管的主要特性 1. 单向导电性 PN结（二极管）的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 注意：只有在外加正向电压时这一特性才显示出来。被动器件 3. 管压降特性： 在二极管导通后，正向压降基本不变，管子的正向电流发生很大变化时，正向压降才有微小的变化。换言之，当正向电压有一个微小变化时，将引起正向电流的很大变化。硅二极管的正向压降为0.6V左右，锗二极管的正向压降为0.2V左右。 2. 正向电阻小，反向电阻大 正向电阻是指二极管正向导通后管子正负极间的电阻（是PN结的正向电阻）这一电阻很小——正向电阻小。反向电阻是指二极管处于反向偏置而未击穿时的电阻（是PN结的反向电阻），这一电阻很大——反向电阻很大。 锗管 正向特性 10 硅管 I/mA U/V 0 20 40 30 20 10 20 死区电压 μA 0.5 1.0 1.5 反向特性 二极管的伏安特性 4 .二极管的V—A特性 2）、反向特性 二极管两端加上反向电压时，反向 电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 1）、正向特性 加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 二极管的主要特性 锗管 正向特性 10 硅管 I/mA U/V 0 20 40 30 20 10 20 死区电压 μA 0.5 1.0 1.5 反向特性 二极管的伏安特性 二极管的主要特性 3）、反向击穿特性 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。电击穿（雪崩击穿和齐纳击穿）可逆，热击穿不可逆。 主要应用为稳压二极管和瞬态抑制二极管等 二极管的分类 二极管的分类 除普通二极管外，还有若干特殊二极管：用于稳压的稳压二极管（齐纳二极管）、用于调谐的变容二极管、以及光电子器件（光电二极管等、发光二极管、激光二极管）等。 二极管的应用 ※二极管的整流 大多数电器设备无法直接使用交流电，必须把交流电转换成直流电以后才能加以利用。把交流电转换成直流电的过程叫做“整流”。 二极管使用在限幅、开关、低电压稳压等电路中，起整流、检波、限幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等作用。 三极管 半导体三极管有两种类型： 一种是双极型半导体三极管(BJT Bipolar Junction transistor)，常称为晶体管，在电路中常用“Q”加数字表示 ，有两种载流子参与导电(多数载流子和少数载流子），被称之为双极型器件。晶体管是电流控制元件，由两个PN结组合而成 另一种是场效应半导体三极管，仅由一种载流子（多数）参与导电，所以称之为单极型器件。场效应管是电压控制元件，由电场效应来控制其电流大小， 分为两大类：结型场效应管（JFET Junction type Field Effect Transistor）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET Metal－Oxide－Semiconductor type Field Effect Transistor ） 三极管概述： 三极管结构、符号： NPN型 PNP型 结构 符号 结构 符号 ※由于三极管的结构和外形特征，它有三个接出来的端点，所以便被形象的命名为三极管。 ※并不是所有三脚的器件都是三极管 三极管的基本结构是两个反向连结的PN结面 有pnp和npn 两种组合；三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C） 三极管参数