中高压电子铝箔腐蚀系数的研究 investigation on etching coefficient of middle and high voltage electronic al-foils.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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中高压电子铝箔腐蚀系数的研究 investigation on etching coefficient of middle and high voltage electronic al-foils.pdf

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中高压电子铝箔腐蚀系数的研究 investigation on etching coefficient of middle and high voltage electronic al-foils

第26卷第8期电子元件与材料 Vbl．26No．8 2007年8月 ELECTRONICCoMPONENTSANDⅣ【ATER认LS Aug．2007 中高压电子铝箔腐蚀系数的研究班朝磊，何业东 o0083) (北京科技大学北京市腐蚀、磨蚀与表面技术重点实验室，北京1 摘要：分析比较了基于矩形凹槽模型、圆孔隧道模型、正立方孔隧道模型计算出的中、高压电子铝箔腐蚀系数与 KDK公司(Hloo)形成箔实际腐蚀系数的关系。结果表明：中、高压电子铝箔真实理论极限腐蚀系数应介于正立方孔．圆孔理论极限腐蚀系数之间。中压电子铝箔(220～485v)通过电蚀扩面提高化成箔比电容余地还很大，高压电子铝箔(485v)的实际腐蚀系数与理论极限腐蚀系数已经很接近，通过电蚀扩面提高比电容的余地较小。关键词：电子技术；腐蚀系数；电蚀；电子铝箔；铝电解电容器；比电容中图分类号：1’M535 文献标识码：A 文章编号：100l一2028(2007)08—0028—03 on0n 0IofmlcIcIlemiddleancland Investi2ationetchingC0eInClentcoef!ficient lnVeStl2atlonetCnlng Al—foils electronic highVoltage BAN ChaO-lei，HEYe-dOng L曲．fbr and ofScienceand Corrosion，Erosion UniVersity (BeijingKey Surface]rechnology’Beijing 7rechnology， 100083，China) Beijing and Abstract：Thecoefficientsbasedon tu衄el cubetunnel modelsand etching rectangulargrooVe，cylinder etching actual coefficientof resultsshowthatthetmetheoreticallimit etching KDK(H10∞wereanalyz甜andcompafed．The etching coefficientof商ddleor aluInjlli砌foilsshouldexistbetween舭meoreticalliIIlit coefficientsfor voltage etcmng cylinder lligh modelaIldcube modelast11ereis oImomfor in ofIIliddle etch