中微推出用于3d芯片及封装的硅通孔刻蚀设备primotsv200e（tm）.pdfVIP

新闻链接 2012率 第 3期 中微推出用于 3D芯片及封装的硅通 孔刻蚀设备 PrimoTSV200ET‘M) 具备超高产能，单位投资产出率高出同类产品30％，已进入中国昆山西钛和江阴长 电 上海和 旧金 山2012年 3月 15日 市场规模今年将达 到 7．88亿美元 ， “对于我们 TSV刻蚀设备的客户 电 ／美通社亚洲 ／一中微半导体设备 2016年将攀升至24亿美元。TSv刻蚀 来说，提高生产率和单位投资产出率 有 限公司 (以下简称 “中微 ’，)推 出了8 设备将 占据市场份额的一大部分 ，而 无疑是极其必要的。”中微副总裁倪 图 英 寸硅通孔 (TSV)刻蚀 设备Primo 其中的强劲需求多来 自于中国企业。 强博士说道，“客户的产品线在不断演 TSV200E一该设备结构紧凑且具有极 中微开发Tsv刻蚀设备恰恰满足 变，这就意味着他们需要这样一种设 高的生产率，可应用于 8英寸晶圆微 了这样的需求。CM0S图像传感器、发 备 一可以灵活、最大范围地刻蚀加工 电子器件、微机电系统、微 电光器件等 光二极管、微机电系统以及其他许多装 各 种 产 品 。而 客 户 采 用 了 Primo 的封装。继中微第一代和第二代甚高 置都离不开微小的系统级芯片 (SoC)， TSV200E就能以更快的速度加工晶圆 频 去 耦 合 等 离 子 刻 蚀 设 备 Primo 而 3DIC技术则是实现系统级芯片的 片，同时保证高可靠性和低成本。我们 D．RIE和PrimoAD．RIE之后，中微的 必要条件。随着半导体关键尺寸 日益缩 很高兴中微首批 TSv刻蚀设备已经进 这一TSV刻蚀设备将被用于生产芯片 小，采用新的堆叠处理方法势在必行。 入了像 昆山西钛微 电子和江阴长 电这 的3D封装、CMOS图像感测器、发光 先进芯片变得 日益复杂，就要求必须在 样的创新型企业。” 二极管、微机 电系统等。中微的8英寸 能耗和性能之间寻求平衡。通过芯片的 PrimoTSV20OE的核心在于它拥 硅通孑L刻蚀设备PrimoTSV200E已经 堆叠，连接线比传统的键合线更短，这 有双反应台的反应器，既可以单独加 进入 昆山西钛微 电子和江阴长电的生 就提高了封装密度，加快了数据传输和 工单个 晶圆片，又可以同时加工两个 产线，以支持其先进的封装生产制造 。 处理速度，并降低 了能耗 ，所有这些在 晶圆片。中微的这一TSv刻蚀设备可 预计中微不久还将收到来 自台湾和新 更小的单元中就可以实现。 安装多达三个双反应台的反应器。与 加坡的订单。 江阴长 电赖志明总经理表示：“3D 同类竞争产品仅有单个反应 台的设备 中微的TSV刻蚀设备和同类产品 IC封装是江阴长 电先进封装的发展方 相 比，中微 TSv刻蚀设备的这一特点 相 比有相当多的优点，在各种 TSv刻 向，技术关键是TSV工艺集成。中微的 使晶圆片产出量近乎翻了一番，同时 蚀应用中表现出色。这些优点包括：双 Tsv刻蚀设备体现 了出色 的工艺性 又降低了加工成本。此外，该设备具有 反应台的设计有效提高了产出率 ；独 能，很好地支持了江 阴长 电先进封装 的去耦合高密度等离子体源和偏置电 特设计的预热腔室保证 了机 台运行的 的新产品开发，并能始终保持竞争优 压 使它在 低压状 态下提 高 了刻蚀速 高可靠性和高效能；独特的气体分布 势。我们很高兴能与中微合作。” 率，并能够在整个工艺窗口中实现更 系统设计大大提高了刻蚀均匀性和刻