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2.晶格缺陷加宽 在固体工作物质中，不存在多普勒加宽，但却有一系列引起非均匀加宽的其他物理因素。 其中最主要的是晶格缺陷的影响(如位错、空位等晶体不均匀性)。在晶格缺陷部位的晶格场将和无缺陷部位的理想晶格场不同，因而处于缺陷部位的激活离子的能级将发生位移，这就导致处于晶体不同部位的激活离子的发光中心频率不同，即产生非均匀加宽。这种加宽在均匀性差的晶体中表现得最为突出。 在玻璃作为基质的钕玻璃或铒玻璃等激光介质中，由于玻璃结构的无序性，各个激活离子处于不等价的配位场中，这也导致了与晶格缺陷类似的非均匀加宽。非均匀加宽线型函数也可用gi(ν,ν。)表示。固体工作物质的非均匀加宽线型函数一般很难从理论上求得，只能由实验测出它的谱线宽度。 在多数实际情况中，谱线的加宽可能同时涉及均匀加宽和非均匀加宽两种机理。 三、综合加宽 两个高斯线型的卷积仍为高斯线型，但其线宽： 因此，总是可以将问题约化成单一洛仑兹线型同一高斯线型的卷积。 总的线型由各种过程之间的卷积给出。可以证明: 线宽为Δν1的洛仑兹线型同线宽为Δν2的另一洛仑兹线型的卷积仍为洛仑兹线型，其线宽； 对于气体工作物质，主要的加宽类型就是由碰撞引起的均匀加宽和多普勒非均匀加宽。 1.气体工作物质的综合加宽线型函数 目标：同时考虑原子按中心频率的分布和每个原子发光的均匀加宽。求频率处于ν～ν+dν范围内的自发辐射光功率P(ν)dν。 中心频率处在ν0 ~ν0+dν0 范围内的高能级原子数： 这部分粒子具有一定的平均寿命和碰撞速率，因此它们以ν0’为中心频率按均匀加宽线型发射。这些粒子对频率ν处的自发发射贡献: 由于具有不同ν0的n2个原子对P(ν)dν都有贡献，所以n2个原子对P(ν)dν的总贡献应当为上式对全部ν0的积分： 在整个谱线范围内都有ν≈ν0，所以上式中的hv可用hν0近似代替： (1)当ΔνHΔνD时 (2)当ΔvDΔvH时 根据线型函数定义，可求得综合加宽线型函数： 称综合加宽线型或佛克托(vigot)线型 (1)当ΔνHΔνD时，上述积分只在ν0≈ν附近很小范围内才有非零值，在此范围内可将函数gD(ν 0,ν0)用常数gD(ν,ν0)代替，因此 即当ΔvHΔvD，时综合加宽近似于多普勒非均匀加宽。其物理意义：具有中心频率ν 0=ν的那部分原子只对谱线中频率为ν的部分有贡献。 两种极限情况讨论 (2)当ΔvDΔvH时，根据同样的考虑可得 即综合加宽近似于均匀加宽，这时n2个原子近似具有同一中心频率v0 ，其中每个原子都以均匀加宽谱线发射。 在一般情况下，固体激光工作物质的谱线加宽主要是晶格热振动引起的均匀加宽和晶格缺陷引起的非均匀加宽，它们的机构都较复杂，很难从理论上求得线型函数的具体形式，一般都是通过实验求得它的谱线宽度。 对Nd:YAG晶体，由于晶体质量比红宝石好，因而非均匀加宽可以忽略，在整个温度范围内都以均匀加宽为主。 红宝石在低温时主要是品格缺陷引起的非均匀加宽，它与温度无关；而在常温时则是晶格热振动引起的均匀加宽为主，它随温度升高而加大。 2.固体激光工作物质的谱线加宽 红宝石694.30nm谱线宽度与温度关系。 Nd：YAG的1.06um谱线宽度与温度关系。 固体物质的谱线宽度一般都比气体大很多，例如对室温下的红宝石694.3nm谱线，其谱线宽度约为9cm-1，即相应于 或以频率表示的谱线宽度为Δν=cΔ(1/λ)≈2.7x105MHz 在钕玻璃中，配位场不均匀性引起的非均匀加宽和玻璃网络体热振动引起的均匀加宽是主要的加宽机构。二者的比例因材料而异。 室温下，1.06um谱线的非均匀加宽在40~120cm-1 (120-3600GHz)范围内变化。均匀加宽在20~75cm-1 (60~225GHz)的范围内变化。虽然其非均匀加宽大于均匀加宽，但由于交叉弛豫过程，其增益饱和特性与均匀加宽工作物质相似。 设物质由单电子原子组成，则作用在电子上的力为-eE(z,t)。（这里忽略了磁场对电子的微小作用力。） 在外电场力的作用下，电子运动方程应改写： 该微分方程的特解可写为: 从原子的经典模型出发求出ε’ 只考虑共振相互作用，即ω≈ω0时的情况，此时： 一个原子的感应电矩： 对于气压不太高的气体工作物质，原子之间相互作用可以忽略，因而感应电极化强度可以通过对单位体积中原子电矩求和得到 n为单位体积工作物质中的原子数。 而物质的感应电极化强度另外也表示： χ为工作物质的电极化系数。 可得电极化系数χ: 令 ，则电极化系数的实部和虚部分别是 物质的相对介电系数ε‘与电极化系数的关系： 因为|χ|1,所以 令: 根据增益系数的定义: η就是物质的折射率。 （运用了条件ω≈ω0） 在小信号，且二能级简并度相等的情况下，反转粒子数密度Δ